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AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

郑燕兰 , 李爱珍 , 林春 , 李存才 , 胡建

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.

关键词: AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱 , PL强度 , 激光器

用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究

简贵胄 , 郑燕兰 , 林春 , 李爱珍 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.018

提出了一种适用于GaSb/AlGaAsSb器件工艺的由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的氢氟酸系腐蚀液。该腐蚀液对于GaSb和AlGaAsSb材料具有良好的腐蚀特性和稳定的刻蚀速率。选用合适的溶液组份可以得到较低的刻蚀速率，有利于在器件工艺中进行精确控制。实验中发现该腐蚀液对AlGaAsSb的腐蚀速率与其Al组份呈抛物线关系，在合适的Al组份下可对AlGaAsSb和GaSb两种材料进行非选择性的刻蚀。

关键词: GaSb/AlGaAsSb化合物半导体 , 化学刻蚀 , 光电器件

用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料

李爱珍 , 郑燕兰 , 林春

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.005

用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制备了2μm波段室温准连续脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱.

关键词: 中红外 , 锑化物 , 分子束外延

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