栾丽君
,
介万奇
稀有金属材料与工程
室温下测量了本实验室生长的Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体的法拉第旋转谱.通过提高布里渊区中心L点的能隙值(E1)改进了法拉第旋转的多振子模型.用改进的模型拟合实验结果,得到Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体布里渊区中心F点的能隙值(E0)分别为1.804 eV和1.667 eV.该E0值比以往任何研究都更接近于计算值.
关键词:
法拉第旋转
,
Cd1-xMnxTe
,
改进的多振子模型
,
垂直布里奇曼法
栾丽君
,
介万奇
,
王涛
,
杜园园
稀有金属材料与工程
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果；而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰.这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故.拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致“类CdTe”的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化.
关键词:
铟掺杂
,
吸收边
,
红外透过率
,
光致发光谱
,
拉曼光谱
,
磁化强度
郑昕
,
杜园园
,
王涛
,
介万奇
,
齐阳
,
栾丽君
人工晶体学报
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.
关键词:
Cd0.9Mn0.1Te晶体
,
Te溶剂-Bridgman法
,
红外透过率
,
电阻率
,
位错
栾丽君
,
梁英
,
夏明桂
,
张小刘
,
叶方伟
材料保护
为了获得低毒脂肪酸单酰胺缓蚀剂,以十二烯基丁二酸和单乙醇胺为原料合成十二烯基丁二酸单乙醇酰胺.利用红外光谱仪对产物结构进行表征;通过旋转挂片失重法及电化学方法考察了十二烯基丁二酸单乙醇酰胺在低温HCl+ H2S中对A3钢的缓蚀效果,并采用扫描电镜观察腐蚀形貌.结果表明:缓蚀剂浓度为75 mg/L,搅拌转速为90 r/min,腐蚀温度为50℃,时间为6h条件下,十二烯基丁二酸单乙醇酰胺缓蚀剂的缓蚀率高达94.37％.
关键词:
单乙醇酰胺
,
缓蚀效率
,
十二烯基丁二酸
,
十二烯基丁二酸单乙醇酰胺
,
A3钢
,
HCl+ H2S介质
栾丽君
,
介万奇
人工晶体学报
利用MPMS-XL型超导量子干涉仪 (superconducting quantum interference device, SQUID)对本实验室生长的Hg0.89Mn0.11Te 晶体的磁化强度和磁化率进行了研究.结果表明,Hg0.89Mn0.11Te在2 K恒温下,-0.5～0.5 kOe磁场范围内出现不可逆磁化. 在温度低于2.8 K时该晶体出现自旋-玻璃转变,以磁化率在冻结温度处出现拐点和低于冻结温度时磁化过程不可逆为主要鉴别特征.这是目前在该材料中发现的最小磁性离子浓度下限(渗透极限).
关键词:
Hg0.89Mn0.11Te
,
磁化率
,
自旋-玻璃转变
,
冻结温度
栾丽君
,
介万奇
,
张继军
稀有金属材料与工程
常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te(以下简称Cd0.8Mn0.2Te:In)晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱.结果表明,随着入射光子能量的增大,Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数随之增大.掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关:当光子能量在1.63～1.72 eV范围内逐渐增加时,未掺In的测量值的变化范围是710～1820(°)/cm·T;当In浓度为8.96×1016atoms/cm3时,Vcrdet常数增大到720～1960(°)/cm·T:当In浓度,n分别为2.39×1017,4.48×10atoms/cm3时,Verdet常数分别减小到660～1630,490～1090(°)/cm·T;当In浓度达到2.99×1019atoms/cm3时,在1.63～1.70 ev的光子能量范围内,Verdet常数减小到460～740(×)/cm·T.低掺In条件下,Verdet常数的增大是由于价带电子数增多,价带类P电子与Mn2+离子3d电子交换相互作用增强引起的;在高掺In量下,由于导带类s电子与Mn2+离子3d电子交换相互作用增强,导带能级分裂进一步减小,导致Cd0.8Mn0.2Te:In的Verdet常数减小.
关键词:
Cd0.8Mn0.2Te
,
In法拉第旋转谱
,
Verdet常数
,
交换相互作用
