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溶胶凝胶-燃烧法制备 SrMgAl10O17∶ Eu2+、Mn2+高效蓝绿荧光粉及其发光特性研究

张宏 , 王乐 , 李旸晖 , 焦峰 , 梁培 , 沈常宇 , 沈晔

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.14

采用溶胶凝胶‐燃烧法制备了SrMgAl10 O17∶Eu2+,Mn2+(SAM ∶Eu2+、Mn2+)高效蓝绿双峰荧光粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、荧光光谱仪(PL )、场发射扫描电子显微镜(FE‐SEM )和 EDX 能谱分析仪(EDS )等测试手段对所得样品进行表征。结果表明,Eu2+、Mn2+共掺杂的SAM 荧光粉颗粒长度约为1μm,产物结晶度高,形貌规则,且均匀性好。随着M n2+的掺入,发射光谱出现了双峰,分别为465 n m的蓝光和515 n m的绿光。当M n2+掺杂浓度达到11%时,对应515 n m 的绿光发射光谱峰值达到最大值, E u2+→M n2+间的能量传递也达到饱和。与传统燃烧法相比,溶胶凝胶‐燃烧法提高了荧光粉的猝灭浓度,且增强了荧光强度。还以Dex ter能量传递理论为依据,通过能量转移效率和临界距离的计算,对体系中存在的能量传递机制进行了讨论。此外,与单独掺杂Eu2+的SAM 相比,Eu2+、Mn2+共掺的SAM 荧光粉具有较好的热稳定性。

关键词: 溶胶凝胶-燃烧法 , SrMgAl10 O17 , 能量传递 , 热稳定性

YVO4:Eu3+@YPO4纳米核壳结构荧光粉的水热合成及表征

吴珂 , 王乐 , 徐国堂 , 邹世碧 , 黄杰 , 顾培夫 , 梁培

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11476

为了提高传统YVO4:Eu3+荧光粉的发光效率及稳定性, 采用水热法制备合成了YVO4:Eu3+@YPO4纳米核壳结构荧光粉, 通过X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和荧光光谱仪(PL)等测试手段对所得样品进行表征. XRD和TEM测试结果表明: 由水热法合成的YVO4:Eu3+@YPO4荧光粉包含YVO4:Eu3+核心和YPO4壳层两种结构, 荧光粉粒径为10~30 nm, 壳厚为5~10 nm, 形态规则、粒径均匀、结晶度高; 荧光光谱测试结果表明: YVO4:Eu3+@YPO4荧光粉比单纯YVO4:Eu3+荧光粉的发光效率高出66.75%, 且具有较高的色纯度. 结合第一性原理方法, 对YVO4和YPO4晶体的能带结构进行理论计算, 定性说明了电子跃迁和发光的关系.

关键词: 荧光粉; 纳米核壳结构; 水热合成

YVO4:Eu3+@YPO4纳米核壳结构荧光粉的水热合成及表征

吴珂 , 王乐 , 徐国堂 , 邹世碧 , 黄杰 , 顾培夫 , 梁培

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11476

为了提高传统YVO4∶Eu3+荧光粉的发光效率及稳定性,采用水热法制备合成了YVO4∶Eu3+@YPO4纳米核壳结构荧光粉,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和荧光光谱仪(PL)等测试手段对所得样品进行表征.XRD和TEM测试结果表明:由水热法合成的YVO4∶Eu3+@YPO4荧光粉包含YVO4∶Eu3+核心和YPO4壳层两种结构,荧光粉粒径为10~30nm,壳厚为5~10nm,形态规则、粒径均匀、结晶度高;荧光光谱测试结果表明:YVO4∶Eu3+@YPO4荧光粉比单纯YVO4∶Eu3+荧光粉的发光效率高出66.75%,且具有较高的色纯度.结合第一性原理方法,对YVO4和YPO4晶体的能带结构进行理论计算,定性说明了电子跃迁和发光的关系.

关键词: 荧光粉 , 纳米核壳结构 , 水热合成

Zn1-xO1-yMnxNy磁半导体的稳定性,电子结构和半金属性质的第一性原理研究

梁培

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.002

利用全势缀加平面波方法计算了Mn和N共掺杂的P型ZnO的8种不同的位置构型.基于总能最低原理我们发现在没有空穴载流子的情况下,第四种构型(N个Mn在同一个层内最近邻位置)是最为稳定的.计算表明,费米面在价带的顶端附近.这个共掺杂体系表现出来的是半金属特性,磁性的起源可以利用BMP理论做出解释.

关键词: 第一性原理 , 电子结构 , P型ZnO , 全势缀加平面波

CoFeB-SiO2磁性不连续多层颗粒膜微波电磁特性

江建军 , 马强 , 别少伟 , 杜刚 , 梁培 , 何华辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00277

采用直流/射频磁控溅射方法和不连续多层交替溅射工艺, 制备了CoFeB-SiO2系列纳米不连续多层磁性颗粒膜, 并对制备的薄膜样品进行了不同温度下的退火处理. 实验结果表明, 通过调整SiO2绝缘介质相含量及磁场退火温度可有效地调控薄膜微结构和微波电磁特性. 制备的薄膜样品在GHz微波频段同时具有高磁导率和高磁损耗, 1.5GHz处薄膜复相对磁导率实部和虚部均大于260, 同时电阻率高达1.38mΩ·cm. 该薄膜样品可应用于微波吸收材料和抗电磁干扰的设计中.

关键词: CoFeB-SiO2 , discontinuous multilayer , microwave electromagnetic , complex permeability

基于从头算法的TM金属共掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性研究

梁培 , 张韬奇 , 田斌 , 马强

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.04.016

本文采用从头计算的方法研究了基于过渡性金属共掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀释半导体的磁性和电子结构.并系统的研究了氧化锌基的稀释半导体铁磁态的稳定性和对其材料设计.在所有的共掺杂体系中,发现(Mn,Co),(Co,Ni)和(Mn,Ni)共掺杂体系是铁磁态的,而(Fe,Ni)共掺杂体系是自旋玻璃态.另一方面,Fe-,Co-和Ni掺杂ZnO基系统的稳态是铁磁态.同时,本文研究了ZnO基稀释半导体的载流子传导铁磁性,计算分析了电子态密度,铁磁态的稳定性.结合双交换和超交换理论解释共掺杂稀释半导体的磁性机理.

关键词: ZnO基稀磁半导体 , TM金属 , 共掺杂

玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应

田斌 , 江建军 , 马强 , 梁培 , 杜刚 , 何华辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.016

本文讨论了长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响.通过测量不同频率下(0.1~1MHz)以及不同长度样品的巨磁阻抗效应,结果表明,长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应有显著影响.通过计算样品的环向磁导率,发现样品的磁畴结构和饱和磁化后的退磁场影响着环向磁导率变化大小.没有加入恒定磁场时,特殊的磁畴结构决定了不同长度样品的环向磁导率近似相等.饱和磁化后,较长的样品的环向磁导率较小,其环向磁导率的变化较大,从而导致相应的巨磁阻抗效应增强.

关键词: 巨磁阻抗 , 磁畴 , 退磁场

掺杂Fe3+的TiO2电子结构及光学特性研究

张小伟 , 沈为民 , 黄杰 , 刘阳 , 徐国堂 , 梁培

硅酸盐通报

本文通过溶胶凝胶法在室温下制备Fe3+掺杂TiO2,并通过X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计等表征手段研究不同Fe3掺杂浓度和不同退火温度对TiO2晶体结构和光学性质的影响,并在密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势基础上采用VASP软件包对Fe3+掺杂TiO2进行能带结构、态密度的计算.XRD实验结果表明:采用溶胶-凝胶法制备的TiO2结晶度高,400℃煅烧下TiO2主要为锐钛矿型晶体,500℃煅烧下出现微弱的金红石相,并在700℃完全转变为金红石相,掺杂浓度对晶型转化有一定的抑制作用.UV-Vis光谱测试表明:Fe3+掺杂使TiO2吸收边红移,提高了光吸收效率.计算结果表明:Fe3+掺杂在TiO2禁带中间产生了杂质能级,杂质能级主要由Fe3+的3d轨道电子形成,引进的杂质能级减少了电子跃迁所需能量,使吸收边红移.

关键词: 光催化 , 电子结构 , 第一性原理

光学薄膜对LED出光效率影响的研究进展

王乐 , 吴弼卿 , 李晓艳 , 梁培 , 顾培夫

材料科学与工程学报

LED作为新一代光源,具有环保节能等突出优点。然而其出光效率一直是制约LED光源普及应用于照明领域的重要因素之一,LED的出光效率受到封装材料、封装结构、荧光粉激发效率、透明电极透光率和衬底反射率等因素的影响。本文对近年来应用于LED的光学薄膜,主要包括透明导电薄膜和全方位反射薄膜的研究进行了综述,分析了LED结构中采用光学薄膜,可以有效减少透明电极层透光率低和衬底反射率低的问题,提高LED出光效率。同时对LED光学薄膜和纳米技术的综合应用及发展趋势进行了展望。

关键词: LED , 出光效率 , 透明导电薄膜 , 全方位反射薄膜

Cu-N共掺杂ZnO体系的稳定性,电子结构和磁性的第一性原理研究

梁培 , 马新国

人工晶体学报

采用第一性原理框架下的全势缀加平面波方法研究了Cu-N共掺杂的ZnO体系的电子结构和磁学性能.基于总能的计算表明,Cu-N共掺杂体系在基态下具有稳定的铁磁性,这个铁磁性的起源可以利用双交换理论进行解释.同时,电子结构的计算表明,掺杂体系在基态下呈现的是半金属特性.在Zn1-xCuxO1-yNy (x=0.0625, y=0.0625)中体系的总的磁矩为2 μB.这些磁矩主要来源于Cu-3d电子和O-2p电子以及N-2p电子的相互作用.

关键词: 第一性原理 , 电子结构 , 磁性 , Cu-N共掺杂ZnO

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