时彬彬
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
王林军
,
邢晓兵
,
段磊
,
孟华
,
杨升
人工晶体学报
用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.
关键词:
溶剂熔区移动法
,
Cd0.9Zn0.1Te
,
红外透过率
,
PICTS
张涛
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
滕家琪
,
时彬彬
,
杨升
,
张继军
,
王林军
稀有金属材料与工程
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe (CZT)单晶.生长完成后,选取了10～60 K/h不同速率降温处理.采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应.结果表明,10～30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(＞10 μ.m),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸＜10 μm)为主.同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大.此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能.40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳.
关键词:
Te夹杂相
,
降温速率
,
CdZnTe
杨升
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
邢晓兵
,
段磊
,
时彬彬
,
孟华
人工晶体学报
通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响.Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.
关键词:
CdZnTe
,
复合电级
,
金半接触
,
势垒高度
彭兰
,
王林军
,
闵嘉华
,
张继军
,
陈军
,
梁小燕
,
严晓林
,
夏义本
功能材料
研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min.AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm.
关键词:
碲锌镉
,
机械研磨
,
机械抛光
,
研抛速度
,
粗糙度
梁小燕
,
闵嘉华
,
赵岳
,
王长君
,
桑文斌
,
秦凯丰
,
胡冬妮
,
周晨莹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.001
本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究.结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性.在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%.Au/Cr电极器件的漏电流较低,~(241)Am射线下能谱响应更佳.分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.
关键词:
复合电极
,
金半接触
,
应力模拟分析
,
CZT探测器
王东
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
孙孝翔
,
刘伟伟
,
李辉
,
张继军
,
王林军
功能材料
利用温度梯度溶液生长法（TGSG）在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪（SEM/EDS）和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
关键词:
碲锌镉
,
温度梯度溶液生长法
,
红外透过率
,
Te夹杂
滕家琪
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
周捷
,
张涛
,
时彬彬
,
杨升
,
曾李骄开
人工晶体学报
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.
关键词:
PICTS
,
CdZnTe
,
深能级
,
缺陷
段磊
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
凌云鹏
,
杨柳青
,
邢晓兵
,
王林军
人工晶体学报
采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.
关键词:
溶剂熔区移动法
,
Cd0.9Zn0.1Te
,
红外透过率
,
光致发光
梁小燕
,
闵嘉华
,
王长君
,
桑文斌
,
顾莹
,
赵岳
,
周晨莹
稀有金属材料与工程
系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响.结果表明,在353～373 K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能,测试得到电极与CdZnTe接触势垒较低,接触电阻较小,欧姆系数最佳,并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能.而当热处理温度高于400 K时,Au电极沉积表面形貌明显变差,CdZnTe样品的漏电流大幅增加.这可能是由于随着热处理温度的增加,CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧,产生大量的Cd空位引起的.
关键词:
CdZnTe
,
M-S接触
,
热处理
,
真空蒸发
,
电学性能
陈军
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
张继军
,
王东
,
李辉
人工晶体学报
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163 μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜.采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低.
关键词:
CdZnTe晶体
,
真空镀碳
,
粗糙度
,
结合力
,
位错密度
