彭述明
,
赵鹏骥
,
龙兴贵
,
杨茂年
,
赵朝前
,
梁建华
,
罗顺忠
,
徐志磊
金属学报
基于局域密度泛函理论, 结合赝势方法, 研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质. 研究结果表明, H原子填入ZrV2晶胞中的2 Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定, 填入1 Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之, 填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差; 吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变; 随含H量增大, 晶格常数增大; 当H/ ZrV2小于2.0时, ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力. H在ZrV2合金中的固溶度小, p-C坪台长, 室温平衡压低, 有利于贮存氢同位素.
关键词:
ZrV2合金
,
null
,
null
彭述明
,
赵鹏骥
,
龙兴贵
,
杨茂年
,
赵朝前
,
梁建华
,
罗顺忠
,
徐志磊
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.02.002
基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
关键词:
ZrV2合金
,
贮氢
,
第一原理
张玲
,
石建敏
,
连玄
,
邱东
,
雷家荣
,
梁建华
,
周晓松
,
彭述明
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.005
利用蒙特卡罗方法和252Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15％～30％(质量分数)碳化硼含量的Al-B4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面.结果表明,Al-B4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;252Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253 eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5％～4.3％;Al-B4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253 eV下的递增率(0.97925 cm-1/％)大于252Cf中子源构建0～1 eV中子下的递增率(0.58537cm-1/％).
关键词:
Al-B4C复合材料
,
中子吸收系数
,
蒙特卡罗
,
252Cf中子源
,
宏观截面
付文博
,
刘锦华
,
梁建华
,
杨本福
,
周晓松
,
程贵钧
,
王维笃
稀有金属材料与工程
使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析.结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大.抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi2的峰存在.
关键词:
衬底
,
储氢薄膜
,
电子束热蒸发
,
形核
,
薄膜生长
付文博
,
梁建华
,
王维笃
,
周晓松
,
杨本福
,
程贵均
表面技术
目的 研究台阶的形貌对台阶仪测试的影响,准确测试薄膜的厚度.方法 分析制备台阶中存在的问题,针对这些问题设计了中轴线位置带掩膜条的掩膜板,并采用该新型掩膜板,在不同衬底上制备台阶,用台阶仪对薄膜的厚度进行测定.结果 在薄膜中轴线附近做出的台阶,坡度陡峭,上下表面清晰.Mo衬底上制备出的薄膜厚度重复性较好;单晶硅衬底上制备的薄膜表面粗糙度较大;石英衬底上制备薄膜形成的台阶上下表面均较为平滑.结论 使用新型掩膜板在石英衬底上制备出理想台阶,可较为准确地测试薄膜的厚度.
关键词:
薄膜
,
膜厚
,
边缘效应
,
理想台阶
,
粗糙度
黄刚
,
龙兴贵
,
梁建华
,
刘文科
,
杨本福
稀有金属材料与工程
应用反应速率分析方法,在高真空金属系统中测定了金属铀在恒容体系和150～300℃范围内吸收氘和氚的p-t曲线.由p-t曲线可知,在同一温度下,铀吸氚的速率与铀吸氘的速率基本相同；而随着温度的升高,由于解吸逆反应的影响,铀吸氚(氘)的反应速率降低.根据p-t曲线计算了吸气反应在不同温度的速率常数,得到铀吸氘和氚的表观活化能分别为(-42.8±0.3)和(-43.2±1.2) kJ·mol-1.从活化能数据可以看出,铀吸氘和氚的反应动力学同位素效应不明显.
关键词:
铀
,
氚
,
表观活化能
,
同位素效应
张伟光
,
彭述明
,
周晓松
,
梁建华
,
郝万立
稀有金属材料与工程
对制备的ZrV2Dx(0＜x≤3.60)系列化合物,分别进行了X射线粉末衍射分析,获得了相应的晶体结构参数.分析表明:在常温下,x≤3.28时,ZrV2Dx的系列氘化物均保持为C15型的laves结构,随x的增加,晶胞体积增大,空间群为Fd-3m;当x≥3.41时,氘化物的结构由C15型laves相转变为四方bct结构,空间群为I41/a.通过对ZrV2Dx物相的分析,为该合金的应用提供技术基础.
关键词:
ZrV2
,
氘化物
,
物相分析
刘伟
,
张晓红
,
刘锦华
,
梁建华
,
龙兴贵
材料研究学报
用脉冲激光气相沉积法在金属钼基底上制备锆薄膜,并用SEM,AFM,XRD等手段分析薄膜表面形貌和晶体结构,研究了脉冲激光频率对薄膜表面形貌和晶体结构的影响.结果表明:随着激光脉冲频率的提高锆薄膜表面液滴数目增加,液滴尺寸增大,薄膜的沉积速率显著降低.薄膜表面的平均纳米颗粒尺寸,随着频率的提高呈现先增大后减小的规律.从XRD数据发现,较高的脉冲频率极大地促进了薄膜的结晶性生长;但是,频率变化对Zr薄膜晶体结构、晶面择优生长的影响并不明显,薄膜呈现典型的hcp结构且不随频率的变化改变.
关键词:
金属材料
,
锆薄膜
,
脉冲激光气相沉积
,
液滴
,
脉冲频率
曹志凌
,
梁建华
,
姚国伟
,
杨新林
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.06.034
采用碱性去活(BDS)C18柱分离测定了红霉素肟及相关化合物.以0.02 mol/L磷酸氢二钾(用磷酸调pH7.2)-乙腈-甲醇(体积比为50∶40∶10)为流动相,检测波长为210 nm,柱温为35 ℃.红霉素肟E、Z异构体及相关化合物红霉素A、红霉素A 8,9-脱水-6,9-半缩酮和红霉素A 6,9-9,12-螺缩酮五种组分分离完全,检测限(S/N=3)为6.0～24.0 ng,线性关系良好,方法准确可靠,用于实际样品分析时取得较好的效果.
关键词:
反相高效液相色谱法(RP-HPLC)
,
红霉素肟(erythromycin A oxime)
,
相关化合物(relative compounds)
,
碱性去活柱(base-deactivated column)
梁建华
,
姚国伟
,
郑少军
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2004.03.012
采用反相高效液相色谱法对克拉霉素合成工艺中关键中间E2'，4″-双(三甲基硅)-红霉素A-9-(1-异丙氧环己基)肟、Z-2′，4″-双(三甲基硅)-红霉素A-9-(1-异丙氧环己基)肟和E-2′，4″-双(三甲基硅)-6-甲基红霉素A-9-(1-异丙氧环己基)肟、Z-2′，4″-双(三甲基硅)- 6-甲基红霉素A-9-(1-异丙氧环己基)肟及其相关的6种工艺杂质进行了分离、定性和定量分析。色谱柱为DIKMA公司的Inertsil ODS-3(150 mm×4.6 mm I.d., 5 μm);流动相为乙腈-水(体积比为95∶5),流速1.5 mL/min;检测波长UV 205 nm;柱温40 ℃。在进样量为6～60 μg时具有良好的线性关系并可以基线分离,为研究区域选择性甲基化提供了基础。
关键词:
高效液相色谱法
,
克拉霉素
,
肟
,
醚化
,
硅烷化
,
甲基化
,
异构体
,
区域选择性
