唐立丹
,
梅海林
,
冯嘉恒
,
王冰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.021
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备 AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al 掺杂对 ZnO 的(002)有明显的抑制作用,Al 在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al—O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4．61×10－4Ω·cm.
关键词:
Al 掺杂 ZnO
,
原子层沉积
,
低温生长
,
晶态薄膜
