殷景华
,
杨红军
,
梅金硕
,
雷清泉
高分子材料科学与工程
利用Materials Studio 3.0分别模拟了聚酰亚胺(PI)/α-Al2O3和聚酰亚胺(PI)/SiO2材料体系的表面结合能,结果表明,在(012)晶面,6.0 nm×4.0 nm范围内,随着纳米颗粒超晶格尺寸增大,PI/α-Al2O3结合能增加,PI/SiO2体系结合能变小;悬挂在α-Al2O3和SiO2(012)晶面上的H原子对体系总能量及结合能有明显影响,α-Al2O3和SiO2纳米颗粒掺杂主要通过分子间作用力与PI相复合.
关键词:
分子模拟
,
结合能
,
聚酰亚胺
,
α-氧化铝
,
氧化硅
熊海安
,
梅金硕
,
殷景华
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.05.007
采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜.研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法(PSD)表征两种纳米颗粒对PI复合薄膜陷阱能级的影响,通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨.结果表明:TiO2和SiO2纳米掺杂提高了PI的电导率和介电常数,介质损耗相应增加,耐电晕寿命明显提高,电气强度虽有所下降但仍满足实际需要.两种纳米掺杂都在PI基体中引入了大量的浅陷阱,PI/TiO2和PI/SiO2复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83~2.85 eV和2.13~2.83 eV,且SiO2纳米颗粒引入的浅陷阱密度低于TiO2纳米颗粒.在此基础上,通过陷阱理论分析了两种复合薄膜的耐电晕老化机制.
关键词:
聚酰亚胺
,
光激电流法
,
纳米复合材料
,
电学性能
,
陷阱能级
