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金湘亮 , 曾云 , 颜永红 , 成世明 , 龚磊 , 盛霞 , 樊卫
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.012
建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模 型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得 出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。
关键词: BJMOSFET , 静态特性 , PSPICE , 模拟
