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CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法

闵嘉华 , 桑文斌 , 钱永彪 , 王昆黍 , 刘洪涛 , 詹峰 , 秦凯丰 , 樊建荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013

采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.

关键词: CZT共面栅器件 , 权重势 , 电子俘获 , 电荷感应效率

热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究

闵嘉华 , 桑文斌 , 刘洪涛 , 钱永彪 , 滕建勇 , 樊建荣 , 李万万 , 张斌 , 金玮

稀有金属材料与工程

对电阻率为103~6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108~9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.

关键词: CdZnTe热处理 , Cd/Zn平衡分压 , In扩散

二元并行CdZnTe探测器读出电路及信号处理方法

施朱斌 , 桑文斌 , 钱永彪 , 滕建勇 , 闵嘉华 , 樊建荣 , 胡冬妮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.006

本文为CdznTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路.137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1.能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件.

关键词: 二元并行探测器 , CdZnTe探测器 , 信号处理 , 读出电路

CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究

闵嘉华 , 桑文斌 , 钱永彪 , 李万万 , 刘洪涛 , 樊建荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.028

使用金相显微镜、推力分析仪测试等手段研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、碳膜和石英结合力的影响.获得了一个优化的镀碳工艺参数,即在镀碳温度为950~1100℃,气体流量为4~7ml/h,镀碳时间为6h,冷却时间为12h的条件下得到的碳膜较为均匀,而且和石英结合的较好.使用该工艺条件镀膜的石英管生长出的CdZnTe晶体表面光洁,位错密度低,约为4×104cm-2.

关键词: 镀碳 , 推力分析 , CdZnTe晶体

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