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γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , 陈亮 , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应

氮化硅-铼嬗变模拟靶材的制造和性能研究

李斌 , 凤仪 , 张学斌 , 刘慧强 , 朱艳芳 , 余东波 , 潘孝兵 , 屠荆 , 欧阳晓平 , 曹良志 , 吴宏春

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z1.062

采用无压烧结的方法(在1550℃保温3小时)添加5wt.%MgO,5wt.%Y2Oa和不同含量的Re制造出了Si3N4-Re嬗变模拟靶材.研究了Re含量的不同对嬗变靶材致密度和抗弯强度的影响,并通过物相分析,显微组织和断口形貌观察对相关机理进行了分析.

关键词: Si3N4-Re嬗变模拟靶材 , 显微组织 , 力学性能

中子引起氘核破裂反应的实验研究

阮锡超 , 欧阳晓平 , 周祖英 , 李霞 , 蒋婧 , 黄翰雄 , 蒋顶悦 , 仲启平 , 任杰 , 唐洪庆

原子核物理评论

对25 MeV中子引起氘核破裂反应的中子-中子准自由散射和17.36 MeV中子引起氘核破裂反应的中子-中子末态相互作用进行了细致的研究。首先,以小于5%的不确定度,精确测量了25MeV中子-中子准自由散射出射的中子三重微分截面。实验数据用基于现实核子-核子势(CD-Bonn,Argonne!18,Nijm I和II)的理论计算配合Monte-Carlo模拟进行了分析。实验结果比基于CD-Bonn势的理论预言高(16.0±4.6)%,进一步证实了目前的理论在中子-中子准自由散射方面还无法准确描述实验数据。其次,通过运动学非完全测量,精确测量了17.36 MeV中子引起氘核破裂反应在0°角附近出射的质子能谱,用基于现实核子-核子势(CD-Bonn、Bonn-B和Nijm I)的理论计算以及Monte-Carlo模拟分析了所测得的质子能谱,确定了中子-中子散射长度ann=(-16.8±0.6)fm。

关键词: 破裂反应 , 准自由散射 , 末态相互作用 , 散射长度

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