杨杰
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王茺
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欧阳焜
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陶东平
,
杨宇
人工晶体学报
采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.
关键词:
离子束溅射
,
Ge/Si多层膜
,
沉积温度
,
生长停顿
杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
杨瑞东
,
刘芳
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀.通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释.
关键词:
离子束溅射
,
Ge纳米薄膜
,
表面形貌
,
退火
