李浩
,
武爱民
,
黄海阳
,
李伟
,
盛振
,
王曦
,
邹世昌
,
甘甫烷
功能材料与器件学报
通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播.实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm.该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力.
关键词:
光子晶体
,
自准直
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
欧欣
,
陈静
,
武爱民
,
孙家胤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.015
本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对.研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积.键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底.通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制.
关键词:
晶圆键合
,
氮化镓
,
发光二极管
,
剥离
杨志峰
,
陈静
,
孙佳胤
,
武爱民
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.010
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型.对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m.SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大.通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题.
关键词:
SOI
,
GaN
,
热膨胀系数
,
热应力
