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种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响

刘俊 , 郑瑞伦 , 段昌奎 , 代波

功能材料

制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.

关键词: 新种子层 , 零场电阻率 , AMR

发光中心的自发辐射寿命对介质的依赖关系分析

赖昌 , 夏上达 , 段昌奎

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.001

为了阐明孤立发光中心自发辐射寿命对环境介质光学常数的依赖关系,从两个典型模型的前提假设出发分析了它们各自的适用条件.并在已有的实腔模型基础上推广出更普适的实腔模型.根据这两个模型的适用条件对文献中已有的实验结果和采用的理论模型分析进行了综合分析,发现现有的实验结果均可以得到圆满的解释.在此基础上,给出发光中心环境介质中发光寿命应该满足的模型的判据:对于稀土离子等孤立离子(其光学极化率可以当作零)作为发光中心时,其发光寿命的局域场效应所满足的模型与被替换的介质离子有关,在被替换的介质离子的极化率很小的情况下,为虚腔(Lorentz)模型,反之则满足实腔模型;当发光中心为纳米粒子(如量子点或含有发光离子的纳米尺度的绝缘体)时,局域场效应满足本文推广了的实腔模型.

关键词: 光谱学 , 自发辐射寿命 , 局域场效应 , Lorentz模型 , 实腔模型 , 发光中心 , 折射率

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