陈旭东
,
杨宏顺
,
柴一晟
,
刘剑
,
钟声
,
孙成海
,
高慧贤
,
薛璟
,
段理
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.005
通过原子力显微镜(AFM)对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→ (Nd,Ce)2O3+ NdCeO3.5+ Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品. Ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2+-Cu2+反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.
关键词:
电子型超导体
,
样品制备
,
电阻率
于晓晨
,
张丹丹
,
李哲
,
王高凯
,
高孟磊
,
段理
,
蒋自强
,
王新刚
,
赵鹏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.08.001
采用水热法成功制备了Er3+/Yb3+双掺杂的NaGd(WO4)2纳米粉体,研究了不同络合剂、水热温度对样品形貌和结构的影响.测量了不同Er3+掺杂浓度样品的可见上转换和近红外发射光谱.结果表明:在980 nm LD激发下,可观测到样品强烈的绿色上转换发光,对应Er3+的2H11/2→4I15/2(530 nm)和4S3/2→4I15/2(552 nm)跃迁,以及较弱的红色上转换和近红外发光,分别对应Er3+的4F9/2→4I15/2(656 nm)和4I13/2→4I15/2(1 532 nm)跃迁.且随着Er3+掺杂浓度的增加,样品的上转换红绿光和1.54 μm附近的近红外光均呈现出先增大后减小的趋势.样品的激发和发射光谱显示,在378 nm处的激发峰最强,对应Er3+的4I15/2→4G11/2能级跃迁,最强发射峰位于552 nm.根据泵浦功率与发光强度的关系可以得出,红光和绿光的发射主要为双光子吸收过程,但红光还包含了一定的单光子吸收成分.
关键词:
铒(Ⅲ)离子
,
镱(Ⅲ)离子
,
NaGd(WO4)2
,
水热法
,
发光
于晓晨
,
孙忠旺
,
白雪
,
粱少伟
,
段理
,
夏慧芸
,
倪磊
材料导报
以Zn(Ac)2、NaOH为初始原料,采用水热法在较低温度下合成了由纳米棒紧聚而成的花状ZnO微/纳米结构.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光致发光谱(PL)对样品进行了表征和分析,讨论了反应温度、反应时间对样品物相和形貌的影响,分析了其生长机制.XRD和SEM测试结果表明,ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构,反应温度和时间对产物晶相及形貌有重要影响.室温下PL谱显示,样品在346 nm和384 nm处有较强的紫外发射,在450 nm和468 nm处有较弱的蓝光发射,在475～650 nm出现强而宽的可见光发射带.该研究为探讨ZnO微/纳米材料的制备技术及在发光方面的应用提供了可行的方法.
关键词:
花状
,
ZnO
,
水热法
,
形貌
,
光致发光
刘磁辉
,
刘秉策
,
马泽宇
,
段理
,
付竹西
功能材料
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air～800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.
关键词:
氧化锌
,
异质结
,
势垒
,
温度特性
段理
,
樊小勇
,
于晓晨
,
倪磊
材料导报
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜,通过改变制备条件生长了一系列样品,样品退火后呈现P型导电特性.测量了样品的结构特性、光学性质和电学性质,实验表明薄膜厚度与淀积时间、溅射功率分别呈近似线性关系;薄膜晶体质量随溅射功率、背景气压的增加而降低;退火过程是银元素形成受主的重要环节,且退火能有效提高薄膜晶体质量,改善薄膜的光学性质和电学性质.分析了这些影响的机理和来源.
关键词:
溅射
,
银掺杂
,
p型ZnO薄膜
,
光电性能
姚然
,
朱俊杰
,
段理
,
朱拉拉
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.031
ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.
关键词:
氧化锌
,
直流溅射
,
MOCVD
,
缓冲层
段理
,
于晓晨
,
王卓
,
樊小勇
材料导报
近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性.这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路.综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向.
关键词:
银掺杂ZnO薄膜
,
p型
,
光电特性
段理
,
林碧霞
,
姚然
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.008
用MOCVD方法在p型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低.
关键词:
无机非金属材料
,
ZnO薄膜
,
SiC缓冲层
,
异质外延
,
结构特性
段理
,
樊小勇
,
李东林
材料导报
准一维纳米ZnO因在微电子和光电子领域具有广阔前景而受到关注.综述了近年来准一维ZnO纳米材料的主流制备方法及其相关机理,介绍了一维纳米阵列的实现方案,总结了各类准一维ZnO纳米器件的研究进展,探讨了研究现状并展望了未来的研究方向.
关键词:
ZnO
,
准一维
,
纳米材料
,
纳米器件
