殷景志
,
龙北红
,
邵丽梅
,
阮圣平
,
胡立发
,
刘永刚
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.009
提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统.系统采用永磁铁和线圈相结合,改善反应室磁场的均匀性;微波窗口设计成多层结构,避免窗口污染;衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性.
关键词:
电子回旋共振
,
微波等离子体
,
p-Si薄膜
缪国庆
,
殷景志
,
金亿鑫
,
蒋红
,
张铁民
,
宋航
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.015
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
铟镓砷
,
探测器
殷景志
,
王新强
,
李献杰
,
杜国同
,
张树人
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.005
采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
关键词:
自组装量子点
,
有序生长
,
张应变GaAs层
殷景志
,
杜国同
,
龙北红
,
杨树人
,
许武
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.
关键词:
应变补偿
,
偏振不灵敏
,
半导体光放大器
