王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.032
采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135～154,介电损耗(tan δ)为0.0033～0.0007,频率温度系数(τf)为-442～-387(2MHz).
关键词:
V2O5掺杂
,
介质陶瓷
,
烧结温度
,
介电性能
汪潇
,
黄金亮
,
杨留栓
,
王秋珂
,
殷镖
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.04.015
以分析纯的Bi(NO3)3·5H2O,ZnO和Nb2O5为初始原料,KOH为矿化剂,采用水热法合成立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体.通过XRD分析其物相组成,TEM分析其形貌和尺寸,Scherrer公式计算其晶粒的大小.结果表明,在KOH浓度为1.8mol/L,温度为180～220 ℃反应6～48 h,可以合成立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体,粉体颗粒尺寸约30～50 nm,形貌呈较为规则的颗粒状.合成温度和反应时间对合成粉体的物相和粒径都有一定的影响,并讨论了水热法合成Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体的机理.
关键词:
水热法
,
Bi1.5ZnNb1.5O7
,
纳米粉体
,
合成温度
,
反应时间
顾永军
,
孙道明
,
李谦
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.019
为满足多层微波元件低温烧结的需求,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度.文中综述了近年来微波介质陶瓷研究中的助烧和掺杂改性的发展情况,概述了相关液相烧结的机理,列举了一些低熔点玻璃相的相关微波节电性能.
关键词:
掺杂
,
微波介质陶瓷
,
助烧
,
液相烧结
黄永峰
,
李谦
,
黄金亮
,
龙永强
,
殷镖
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.026
对高介电常数微波介电陶瓷中的BaO-Ln2O3-TiO2、复合钙钛矿CaO2-Li2O2-Ln2O3-TiO2及铅基钙钛矿体系的发展及研究现状进行了概述,归纳了研究中存在的问题,同时对未来的发展趋势做了预测.对新型填满型钨青铜结构陶瓷也进行了简要的介绍,指出其具有良好的发展前景,但其介电弛豫性需要进一步的研究.
关键词:
高介电常数
,
微波介质陶瓷
,
研究现状
,
发展趋势
宁向梅
,
黄金亮
,
殷镖
,
张兴渊
材料热处理学报
采用单辊快速凝固法制备了Mg80Cu10Y10合金薄带,并对合金薄带进行热处理,利用XRD、DSC和HRTEM分析研究了该合金薄带的晶化过程及其晶化后的微观结构.结果表明:快速凝固Mg80Cu10Y10合金薄带为单一的非晶态结构,其约化玻璃转变温度Trg为0.62,具有较强的非晶形成能力；非晶合金具有三阶段晶化行为；在热处理温度为423 K时合金仍为非晶态；当温度达到473 K时,合金发生明显晶化,在非晶基体上弥散析出Mg2Cu、Cu2Y和hcp-Mg纳米晶粒；随着温度由523 K升高至623 K时,析出晶粒尺寸增大、数目减少,合金中的晶体相为hcp-Mg、Mg2Cu和Mg24Y5.
关键词:
快速凝固
,
Mg80Cu10Y10
,
金属玻璃
,
非晶形成能力
,
晶化
王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
赵高磊
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.05.020
采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.
关键词:
V2O5
,
介质陶瓷
,
烧结温度
,
介电性能
王茹玉
,
黄金亮
,
周焕福
,
殷镖
,
孙道明
,
赵高磊
材料导报
采用传统的固相反应法制备CuO掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了CuO掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明,CuO掺杂能有效降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数.1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO的ZnNb2O6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=34,介电损耗tanδ=0.00039,频率温度系数τf=-46.21×10-6/℃.
关键词:
CuO掺杂
,
ZnNb2O6
,
烧结温度
,
介电性能
周焕福
,
黄金亮
,
殷镖
,
孙道明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.019
研究了Sm2O3掺杂的bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(O≤x≤0.6,BSZN),的结构及介电性能.结果表明:纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(O＜x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相.同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.
关键词:
BZN 基陶瓷
,
立方焦绿石
,
掺杂
,
介电性能
