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CO3O4掺杂Mg2SiO4陶瓷介电性能的研究

李鑫 , 李晓雷 , 刘晓光 , 唐定中 , 季惠明 , 毕宝宝 , 齐长见

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.003

采用固相反应法制备了Co3O4掺杂Mg2SiO4微波介质陶瓷,研究Co2+离子掺杂对Mg2SiO4陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响.结果表明:Co2+可以完全取代Mg2+固溶在Mg2 SiO4晶体中形成(Cox Mg1-x)2SiO4固溶体,通过调整加入的Co3O4的摩尔量可以获得介电性能优良的微波陶瓷.当x=0.025时,在1250℃下保温3h,( Co0.025Mg0.975)2 SiO4陶瓷具有良好的介电性能为:εr=7.7,Q=8850(1.8MHz),电容温度系数为50.4×10-6/℃.

关键词: Mg2SiO4 , 羝介电常数 , 微波介质陶瓷 , Co3O4

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