李永周
,
江庆军
,
梁玉军
,
刘明宇
,
林慧
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.004
采用双坩埚嵌套高温固相法在950℃下成功地合成了Ba2Zn3:Cu荧光粉,探讨了工艺条件和Cu掺杂量对样品发光亮度的影响,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对其结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:样品具有单一的Ba2ZnS3晶相结构;与Ba2Zn3基质不同,该荧光粉的激发光谱在近紫外区存在一个从275～350 nm的宽激发带,归因于Cu发光中心的吸收;该荧光粉在近紫外光激发下发出明亮的黄光,发射中心波长位于560 nm处,是一种良好的黄光材料.
关键词:
Ba2ZnS3:Cu
,
高温固相法
,
荧光粉
,
浓度猝灭
张哲浩
,
吕建国
,
江庆军
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.002
在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力.提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力.研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放.而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸.研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力.结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力.
关键词:
ZnO∶Ga薄膜
,
应力
,
基片曲率法
,
直流磁控溅射
,
有机衬底
冯丽莎
,
江庆军
,
叶志镇
,
吕建国
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.002
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT).研究了Ti掺人对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响.研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84％;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能.当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×105.
关键词:
溶液燃烧法
,
ZnTiSnO薄膜
,
非晶态
,
薄膜晶体管
