刘芬
,
曹世勋
,
黎文峰
,
李领伟
,
池长昀
,
敬超
,
张金仓
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.010
本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4+离子替代Cu2+离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4+离子替代Cu2+离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4+替代Cu2+对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.
关键词:
电子型高温超导体
,
超导电性
,
微观结构
,
载流子浓度
李领伟
,
曹世勋
,
黎文峰
,
刘芬
,
池长昀
,
敬超
,
张金仓
功能材料
利用正电子湮没技术以及X射线衍射等实验手段对Y0.8Ca0.2Ba2Cu3Oy(y=6.32～6.84)体系进行了系统研究.结果表明,在氧含量y=(6.50±0.05)附近发生正交-四方相变.正电子寿命参数在正交-四方相变发生前后均有明显变化,说明样品内部微观电子结构在发生正交-四方相变附近区域发生了显著变化.表征样品内部电子结构整体平均效应的体寿命参数τb随y的降低而逐渐增大,表明由于氧含量降低导致了样品内部局域电子密度的降低,这和Tc随y降低而降低是一致的.认为该体系在y约为6.50附近正交-四方相变区域Tc出现平台式响应可能与相变过程中区域体系内部电子结构变化上的某种弛豫效应存在某种关联.且讨论了YBCO体系中正电子湮没机制以及它与正交-四方相变与和高温超导电性之间的关联.
关键词:
正电子湮没
,
正交-四方相变
,
高温超导电性
任树洋
,
任忠鸣
,
任维丽
,
张金仓
,
池长昀
材料导报
临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.
关键词:
MgB2
,
制备工艺
,
元素掺杂
,
强磁场
