游玉香
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苏艺菁
,
叶芸
,
汤巧治
,
张杰
,
张永爱
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014
通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.
关键词:
碳纳米管
,
背光源
,
电泳
,
场致发射
苏艺菁
,
游玉香
,
胡利勤
,
汤巧治
,
张杰
,
张永爱
,
郭太良
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.029
采用电泳法在金属镍(Ni)丝表面沉积碳纳米管(CNT)材料,制备成CNT-Ni丝状阴极,并在圆柱形玻璃灯管中对其进行二极结构的场发射性能测试.结果表明,CNT材料呈网状结构均匀平铺于Ni丝表面,CNT-Ni丝状阴极具有良好的场发射性能,开启场强为0.82 V/μm;当阳压为3 400 V时,电流为2.3 mA,发光亮度达到7 500 cd/m2;阳压为4 000 V时,丝状阴极场发射电流连续测试10 h变化不大.
关键词:
碳纳米管
,
丝状阴极
,
场发射荧光灯
叶芸
,
游玉香
,
汤巧治
,
郭太良
功能材料
研究了强HNO3和HNO3-H2SO4氧化对碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)场发射特性的影响,采用TEM、Raman、XPS和J-E进行了表征.实验结果表明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳纳米管中的催化剂颗粒、无定形碳及碳纳米微粒等杂质;由于H2SO4具有协同氧化和脱水作用,使得混酸氧化后的碳纳米管具有更高的无序程度和缺陷密度,且表面存在C-OH,CO,COOH等氧化基团.HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳纳米管的开启电场分别为1.7和1.1V/μm,当电场增大至3.0V/μm的电场下对应的发射电流密度分别为1.8和4.2mA/cm2.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
氧化
,
XPS