凌云
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林殷茵
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赖连章
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乔保卫
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赖云锋
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冯洁
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汤庭鳌
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蔡炳初
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功能材料
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系.
关键词:
非晶半导体
,
阈值电压
,
相变存储器
康晓旭
,
林殷茵
,
汤庭鳌
,
钟宇
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黄维宁
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姜国宝
,
王晓光
功能材料
采用水基化学溶液涂布(water-based coating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜.系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因.制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω@cm,且具有良好的形貌.以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要.
关键词:
LNO
,
氧化物电极
,
铁电体
颜雷
,
汤庭鳌
,
黄维宁
,
姜国宝
,
程旭
,
姚海平
,
钟琪
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.053
我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.
关键词:
SOL-GEL PZT 钙钛矿结构
林殷茵
,
汤庭鳌
,
姚熹
功能材料
采用新颖的金属有机物热分解方法(MOD)制备了二氧化锡薄膜.红外分析和热分析表明,先体制备过程中生成了锡的有机物,这对制备质量良好的光学薄膜起了决定作用.对薄膜的红外光谱和紫外-可见光谱的分析表明,薄膜的热处理过程中经历了溶剂挥发、有机物燃烧和析晶等过程,随热处理温度的升高,薄膜的孔率显著减小,薄膜的结构致密,这是由制备过程的特点决定的.
关键词:
二氧化锡
,
薄膜
,
金属有机物热分解
,
制备
杨彩霞
,
林殷茵
,
汤庭鳌
功能材料
采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜.采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程.分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响.并用XRD、SEM等手段对样品在不同温度条件退火处理后的薄膜相和形貌进行了分析.在800℃时采用层层退火方式,有效抑制Fe价态转化,从而降低了电子波动引发的氧空位数目,制备出纯铁相高电阻率的BiFeO3铁电薄膜,并观测到饱和电滞回线,其Ps和Pr分别为6.9μC/cm2和2.8μC/Cm2.
关键词:
铁酸铋
,
溶胶-凝胶
,
铁电薄膜
程继
,
林殷茵
,
汤庭鳌
功能材料
研究了镧掺杂对PZT铁电性能和相结构的影响.研究表明镧掺杂增加了(110)和(200)峰的强度,减小了(111)峰的相对强度,导致矫顽场和极化强度的下降.研究了镧掺杂对漏电特性的影响,以及肖特基势垒电流模型.
关键词:
PZT
,
矫顽场
,
极化强度
,
漏电模型
