章国强
,
黄靖云
,
亓震
,
卢焕明
,
赵炳辉
,
汪雷
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
关键词:
锗硅碳合金
,
应变弛豫
,
超高真空CVD
徐娜娜
,
李淑静
,
李远兵
,
张金龙
,
汪雷
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.05.011
为了回收利用废弃陶瓷材料，节约资源，以废弃陶瓷材料为主要原料，加入不同量的黏土（质量分数分别为15％、25％、35％），外加锯末和结合剂，经混料、成型、烘干后，1200、1250、1300、1350、1400℃保温3 h热处理，然后检测试样的物理性能，并进行了物相和显微结构分析。结果表明，当废弃陶瓷材料与黏土的质量比为8515，烧成温度为1400℃时，试样的综合性能最优；由于热处理过程中发生了莫来石化，试样中的主要物相为莫来石；1400℃热处理后试样的孔隙直径比1200℃的大，基质结构也更加致密，由K2 O、SiO2、Al2 O3组成的液相也较多，因而使材料的强度增大。
关键词:
废弃陶瓷材料
,
黏土
,
莫来石
,
液相
,
强度
汪雷
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.031
ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.
关键词:
ZnO薄膜
,
张应力
,
磁控溅射
,
光致发光
郭春林
,
汪雷
,
戴准
,
房剑锋
,
郑佳毅
,
杨德仁
材料科学与工程学报
二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段.本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用.在100％O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值.采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围.通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果.单层SiNx薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs.
关键词:
RTO
,
SiO2薄膜
,
太阳电池
,
钝化
王亚东
,
黄靖云
,
叶志镇
,
汪雷
,
马德群
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:
超高真空化学气相沉积
,
实时B掺杂
,
硅外延
刘红娟
,
汪雷
,
杨德仁
,
杨华
,
王子奇
人工晶体学报
本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响.研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47 eV.
关键词:
CIS薄膜
,
一步电沉积
,
Cu/In比
,
退火
汪雷
,
李淑静
,
董舜杰
,
李艳
,
李远兵
,
徐娜娜
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2015.02.014
为了合理利用以SiO2和Al2 O3为主要成分的高压电瓷废品,利用回收的废高压电瓷配合不同比例的黏土(其质量分数分别为10％、15％、20％、25％、30％),同时加入锯末为造孔剂,在1 400℃烧成后制备了轻质莫来石砖,并研究了黏土加入量对轻质莫来石砖物理性能、物相组成及显微结构的影响.结果表明:随着黏土加入量的增加,试样的体积密度及耐压强度增大,显气孔率下降;加入30％(w)黏土合成的轻质莫来石砖综合性能最佳,其体积密度为1.17 g·cm-3,显气孔率为58.3％,耐压强度为4 MPa.
关键词:
高压电瓷
,
黏土
,
轻质莫来石砖
,
强度
徐娜娜
,
李淑静
,
李远兵
,
薛正良
,
张金龙
,
汪雷
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2015.05.015
为了以低压电瓷废料为主要原料制备轻质骨料，研究了原料配比（低压电瓷废料、粉煤灰和黏土的质量比分别为541、631、721）及热处理温度（分别为1100、1200和1300℃）对制备的轻质骨料的致密度、强度、热导率、物相组成和显微结构等的影响。结果表明：以低压电瓷废料为主要原料，可以制备出性能优异的轻质骨料。在低压电瓷废料、粉煤灰和黏土的质量比为631，热处理温度为1200℃时，所制得的轻质骨料的体积密度为1．07 g·cm －3，显气孔率为57．5％，颗粒强度为32．3 N，在300、600和900℃的热导率分别为0．151、0．165和0．476 W·m －1·K －1，主晶相为莫来石。
关键词:
低压电瓷废料
,
轻质骨料
,
莫来石
