葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
王晓霞
,
李红霞
,
张怀金
,
王继扬
,
沈明荣
,
方亮
,
宁兆元
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.006
采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Nd:LuVO4
,
薄膜
王季魁
,
沈明荣
,
方亮
,
甘肇强
功能材料
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质.发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029.在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜.发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027).研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高.与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
钛酸锶铅
,
多层膜
,
介电性质
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022
利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
,
氧分压
朱卫东
,
葛水兵
,
沈明荣
,
宁兆元
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.017
在 Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 Pb1-xLaxTiO3薄膜 ,对膜进行 XRD、 SEM、介电、铁电性能测试 , 研究了退火温度、掺 La量对薄膜性能的影响 , 结果发现在 600℃下退火 1h的 PLT薄膜呈现钙钛矿结构 , 具有 (100)面择优取向 . 在摩尔比 x≤ 0.2的范围内 , 薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着掺 La量的增加而降低 , 而其相对介电常数和介质损耗却随着掺 La量的增加而增加 .
关键词:
溶胶-凝胶
,
PLT薄膜
郑分刚
,
朱卫东
,
沈明荣
,
甘肇强
,
葛水兵
功能材料
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x≤0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加.
关键词:
溶胶-凝胶
,
PLT薄膜
,
研究
徐华
,
沈明荣
,
方亮
,
甘肇强
功能材料
采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si基底上分别制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3 (PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3 (PST)薄膜并研究了它们的介电性质.XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向.SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间.PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0.0378、0.0316和0.0423,同时PST漏电流也是最小的.测量薄膜的C-V特性和铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相.本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低,居里温度降低而介电常数会升高.并测得BST和PST的居里温度分别为-75和150℃,而PBT的居里温度在250℃以上.本文研究表明:与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容-电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力.
关键词:
脉冲激光
,
铁电薄膜
,
介电性质
张鹏展
,
沈明荣
,
徐俞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.014
选取极薄Ti02作为过渡层,采用脉冲激光沉积法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备了Bao.6Sro.4TiO3(BST)薄膜,研究过渡层对BST薄膜微结构及电学性质的影响.发现厚度20纳米以内的锐钛矿相结晶TiO2过渡层可使BST薄膜由无规则取向转变为(111)择优取向,而非晶和较厚TiO2过渡层对BST薄膜的取向无影响.结晶的TiO2过渡层也使薄膜的表面颗粒变细.还研究了不同厚度TiO2对BST薄膜电学性质的影响,结果表明BST薄膜在Pt(111)底电极上加入极薄的结晶TiO2过渡层后电学性质有明显改善,薄膜的介电常数和可调谐度提高,而介电损耗降低.加入膜厚约5nm的TiO2过渡层后,测试频率为10 kHz时薄膜相应介电常数、介电损耗及可调谐度分别为513、0.053和36.7%.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
BST薄膜
,
TiO2过渡层
,
微结构
,
介电性质
杨静
,
沈明荣
,
方亮
功能材料
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题.我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CCTO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起.但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大.从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一.
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
巨介电性质
,
功函数
,
肖特基势垒
