杨春花
,
周洪庆
,
刘敏
,
吕安国
,
朱海奎
,
沈朝忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.023
分别研究了高硅氧玻璃(96wt%SiO2,非晶态)与二氧化硅(99wt%,石英相)的添加对CaO-SiO2-B2O3(CSB)微晶玻璃微观结构、烧结性能以及介电性能的影响.结果表明:不同形态SiO2的添加均可以有效地降低介电常数,同时高硅氧玻璃的引入增加了试样的介电损耗.添加15wt%SiO2、850℃低温烧结试样,在10MHz下,介电常数为6.01,介电损耗1.2 × 10-3,且在5～40MHz频率范围内,介电常数随频率的变化不大.烧结试样的主要晶相为Quartz、CaSiO3和CaB2O4.
关键词:
CSB玻璃
,
高硅氧玻璃
,
SiO2
,
烧结性能
,
介电性能
王宇光
,
刘敏
,
周洪庆
,
陈栋
,
杨春霞
,
沈朝忠
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.03.009
在Bao0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究.结果表明.随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低.当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2 GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0 kV/mm).利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理.
关键词:
钛酸锶钡
,
ZrO2
,
介电常数
,
介电损耗
,
铁电材料
,
调谐性
吕安国
,
丘泰
,
周洪庆
,
刘敏
,
杨春花
,
沈朝忠
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.11.010
采用在CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃中添加硼硅酸玻璃的方式制备了低温烧结的CBS复相玻璃陶瓷,系统地研究了其对CBS玻璃陶瓷10MHz下的介电常数及热膨胀系数的影响规律.利用DSC,XRD和SEM微观结构分析方法,研究了试样的性能与结构的关系.研究结果表明:硼硅酸玻璃与CBS玻璃具有很好的相容性,硼硅酸玻璃的添加量在0～40%(质量分数,下同)的范围内均可在850℃烧结.硼硅玻璃能有效降低体系的介电常数,实现介电常数在5.6～6.6范围内可调;硼硅玻璃的添加量小于20%时,膨胀系数增加幅度较小,随着硼硅玻璃量的增加,膨胀系数显著增大,其原因是随着硼硅酸玻璃添加量的增加,生成了具有低介电常数、高膨胀系数的α-SiO2.
关键词:
CaO-B2O3-SiO2玻璃
,
硼硅酸玻璃
,
玻璃陶瓷
,
介电性能
,
热膨胀系数
