王群
,
王文忠
,
高钦
,
沈玉辉
,
陈建峰
无机材料学报
本文分析了以Lanxide技术合成AlN的生长过程，发现AlN晶体生长具有明显的方向性，XRD分析表明：AlN晶体的生长方向为[0001]晶向.反应过程中AlN由基体表面向气氛中不断深入生长，形成了纤维状或称柱状晶体组织.反应初期Mg元素的挥发非常强烈，Mg蒸气参与表面反应，生成一层疏松的复相表层，有利于反应的深入进行.氮化过程中Si元素存在富集现象，造成宏观组织的成份不均匀性.
关键词:
反应
,
alloy
,
reaction
,
growth
