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射频磁控溅射法制备氧化镱薄膜

许宁 , 刘正堂 , 刘文婷 , 沈雅明

稀有金属材料与工程

利用射频磁控溅射法,以高纯氧化镱(Yb2O3)为靶材,成功地制备出了Yb2O3薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构和光学性能进行了研究.结果表明,制备的薄膜中Yb和O元素结合形成了Yb2O3化合物;薄膜为具有立方结构的多晶体;在波长0.8 μm以上薄膜的折射率约为1.66,吸收很小.

关键词: 射频磁控溅射 , 氧化镱 , 薄膜

高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析

沈雅明 , 刘正堂 , 冯丽萍 , 刘璐 , 许冰

稀有金属材料与工程

采用射频磁控溅射法制备HfSi_xO_y薄膜,系统研究工艺参数对HfSi_xO_y薄膜沉积速率的影响规律.对沉积态和退火HfO_2和HfSi_xO_y薄膜的结构进行了对比分析.结果表明:HfSi_xO_y薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小.衬底未加热时,制备的HfSi_xO_y和HfO_2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO_2薄膜呈多晶态,而HfSi_xO_y薄膜呈非晶态.HfSi_xO_y薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO_2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSi_xO_y薄膜具有较高的热稳定性.

关键词: 高K栅介质 , HfSi_xO_y薄膜 , 射频磁控反应溅射 , 沉积速率

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