祝向荣
,
沈鸿烈
,
沈勤我
,
邹世昌
,
TsukamotoKoichi
,
YanagisawaTakeshi
,
ItoToshimitsu
,
HiguchiNoboru
,
OkadaYasumasa
,
OkutomiMamoru
无机材料学报
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La－Pb－Mn－O体材料．材料的铁磁相变温度Tc为257K，其金属－半导体转变温度Tp为251K．外加磁场分别为5T和13T时，材料的巨磁电阻（GMR）峰值分别达到72％和85％．在77K～室温的温度范围内，材料都具有GMR效应，Tp附近具有GMR峰值效应．GMR效应与自旋极化子行为有关，而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外，与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关．另外，多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内，尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献．在Tp处；晶粒间自旋极化隧道效应被抑制，导致低场GMR效应的消失．
关键词:
巨磁电阻
,
null
,
null
祝向荣
,
沈鸿烈
,
沈勤我
,
邹世昌
,
Tsukamoto Koichi
,
Yanagisawa Takeshi
,
Ito Toshimitsu
,
Higuchi Noboru
,
Okada Yasumasa
,
Okutomi Mamoru
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.013
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K～室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.
关键词:
巨磁电阻
,
金属-半导体转变温度
,
多晶
张娟
,
沈鸿烈
,
鲁林峰
,
唐正霞
,
江丰
,
李斌斌
,
刘恋慈
,
沈洲
功能材料
采用离子束溅射沉积Fe/Si多层膜的方法在石英衬底上制备了β-FeSi2薄膜,研究了不同厚度比的Fe/Si多层膜对β-FeSi2薄膜的结构性能、形貌及光学性能的影响.结果表明,厚度比为Fe(2nm)/Si(7.4nm)的多层膜在退火后完全生成了β-FeSi2相,表面致密均匀,其光学带隙为0.84eV,能量为1.0eV光子的吸收系数＞105cm-1.
关键词:
β-FeSi2
,
离子束溅射沉积
,
Fe/Si多层膜
,
石英衬底
郑超凡
,
沈鸿烈
,
蒲天
,
蒋晔
,
李玉芳
,
唐群涛
,
吴斯泰
,
陈洁仪
,
金磊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.042
采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,研究了腐蚀时间及银铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌.发现银铜双原子MACE法所形成的结构比银单原子或铜单原子MACE 法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过银铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在银铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在银铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构.研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷光效果,当银铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180 s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6．23％.
关键词:
黑硅
,
减反射
,
纳米结构
,
金属辅助化学法
,
银铜双原子
鲁林峰
,
沈鸿烈
,
张娟
,
江丰
,
李斌斌
,
沈洲
,
刘恋慈
人工晶体学报
采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜.多层膜的总厚度为252 nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 nm和20 nm/64 nm.在850 ℃, Ar气气氛中退火2 h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相.但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相.通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2 nm/7.0 nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜, 其光学带隙为0.87 eV,表面均方根粗糙度为2.34 nm.
关键词:
β-FeSi2薄膜
,
石英衬底
,
亚层厚度比
,
多层膜
孙雷
,
沈鸿烈
,
李金泽
,
吴天如
,
丁古巧
,
朱云
,
谢晓明
人工晶体学报
以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果.用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征.结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,“表面催化”型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;“溶解析出”型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨“块”;金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱.
关键词:
石墨烯
,
Cu-In合金
,
化学气相沉积
张三洋
,
沈鸿烈
,
魏青竹
,
倪志春
,
邢正伟
,
姚函妤
,
吴斯泰
人工晶体学报
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化.发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50％左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41％和0.92％.这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象.
关键词:
光致衰减效应
,
晶硅太阳电池
,
掺镓晶硅
,
少子寿命
,
衰减率
蔡红
,
沈鸿烈
,
黄海宾
,
唐正霞
,
鲁林峰
,
沈剑沧
功能材料
采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火.采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论.实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势.
关键词:
多孔硅
,
高温退火
,
拉曼谱
,
形核理论
尹玉刚
,
沈鸿烈
,
楼晓波
,
李斌斌
,
高超
功能材料
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能.结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温度对薄膜的结构、光电性能有一定的影响,薄膜在可见光区的光透过率为80%～95%;Al的掺杂浓度为1%样品在600℃下空气中退火1h后,薄膜最低的电阻率为7.5×10-2Ω·cm.
关键词:
ZnO薄膜
,
c轴择优取向
,
溶胶-凝胶法
,
光透过率
焦静
,
沈鸿烈
,
王威
,
江丰
人工晶体学报
本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能.发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV.这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S·cm-1和1.04×10-2 S · cm-1.用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应.
关键词:
化学浴沉积法
,
CdS薄膜
,
光吸收
,
光电响应
,
电导率
