朱永安
,
唐吉玉
,
潘保瑞
,
陈俊芳
,
陆旭兵
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.012
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析.初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好.作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20％.
关键词:
GaInAsN/GaAs量子阱
,
阱宽
,
垒厚
,
短路电流
,
伏安特性
