吴市
,
张峰君
,
钱林
,
陈来
,
张家宝
,
潘健峰
,
周春节
,
任慕苏
,
孙晋良
材料科学与工程学报
采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H NMR表征其结构.分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si-Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响.结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si-Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%～15%;在电化学合成聚硅烷的过程中,单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂蒽的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率.本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测.
关键词:
聚硅烷
,
电化学合成
,
反应速率
