周海龙
,
黄柏标
,
潘教青
,
于永芹
,
尉吉勇
,
陈文澜
,
齐云
,
张晓阳
,
秦晓燕
,
任忠祥
,
李树强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.025
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性.
关键词:
稳定性
,
发光二极管
,
厚度
于永芹
,
黄柏标
,
尉吉勇
,
潘教青
,
周海龙
,
齐云
,
陈文澜
,
秦晓燕
,
张晓阳
,
任忠祥
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.018
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.
关键词:
InGaAs/AlGaAs量子阱
,
MOCVD
,
量子尺寸效应
,
应变效应
潘教青
,
崔得良
,
张兆春
,
黄柏标
,
秦晓燕
,
蒋民华
,
彭俊彪
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.013
用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.
关键词:
GaP
,
纳米晶
,
复合发光材料
,
水热合成
崔得良
,
尉吉勇
,
潘教青
,
郝霄鹏
,
徐现刚
,
蒋民华
功能材料
用微波水热方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响.结果表明:在微波水热条件下,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化,只是在复合反应后粒度有所长大;与纯GaP纳米晶的发光光谱相比,复合后材料的发光峰变窄,发光强度显著增加,而且发光峰峰位向短波方向移动;另外,复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系,粒度减小时相应的复合材料发光波段蓝移且发光效率提高.
关键词:
GaP纳米晶
,
水热方法
,
复合发光材料
