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Nb∶SrTiO3单晶基片上外延生长BaTiO3薄膜的漏电流机制分析

潘瑞琨 , 刘攀克 , 黎明锴 , 何云斌

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.001

采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征.以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线.通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制.

关键词: BaTiO3薄膜 , 结构 , 漏电流机制 , 肖特基势垒

脉冲激光沉积法制备的Ge(S90Se10)2硫系薄膜中的光致漂白效应研究

周学东 , 董国平 , 肖秀娣 , 陶海征 , 赵修建 , 潘瑞琨

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.005

运用激光脉冲沉积法(PLd)制备了Ge(S90Se10)2薄膜,通过运用紫外汞灯对制备的薄膜进行不同时间的辐照,我们确定了达到饱和状态所需要的辐照时间(90分钟).当薄膜处于饱和状态时,巨大的光致漂白效应被观察到了(△E=0.36ev).此外,在本文中,我们也对光致漂白效应的机理进行了阐述,一种新型的光电子材料被发现了.

关键词: 激光脉冲沉积法(PLD) , 光致漂白 , Ge(S90Se10)2薄膜 , 能隙

铁电隧道结的研究进展

潘瑞琨 , 章天金 , 杨凤霞 , 马志军 , 何苗

材料导报

铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结.从铁电隧道结的基本理论出发,针对势垒层和电极材料选取的角度详细介绍了铁电隧道结的研究成果,揭示了材料选取对隧道结中铁电性保持的重要影响,含铅的钙钛矿型氧化物作为铁电势垒层是目前研究的重点.铁电隧道结的研究正向着无铅材料及多铁隧道结方向发展.最后讨论了铁电隧道作为存储器单元应用的可能性与优点.

关键词: 铁电隧道结 , 电致电阻效应 , 量子隧穿效应

掺Ho3+钛酸锶钡薄膜的结构及发光性能研究

潘瑞琨 , 王军 , 董秀梅 , 章天金 , 胡兰 , 江娟

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00902

采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol% Ho3+掺杂的Ba0.65Sr0.35 TiO3薄膜, 研究了薄膜的表面AFM、XRD谱、光学透射谱和光致发光谱. 结果表明: Ho3+浓度从1mol%增加到8mol%时, BST薄膜的晶格常数先增大后减小; 位于615、650和750nm处的发光, 分别对应5F35F75F55F85S25F45F 的跃迁, 发光谱和5S2, 5F4的寿命谱分析表明, 在Ho3+浓度为3mol%时三个发光带强度均最大. 并分析了Ho3+与Ba2+/Sr2+/Ti4+的离子位置替代机制及交叉弛豫机制.

关键词: BST薄膜 , rare earth-doping , photoluminescence

光波导放大器用材料的研究进展

潘瑞琨 , 章天金 , 严小黑 , 张柏顺

材料导报

回顾了3种光放大器的工作原理、应用现状,分析了4类主要的光波导放大器用材料的性能、特点和研究现状.分析表明,非氧化物玻璃和硅基光波导材料对研制光波导放大器有很好的应用潜力.

关键词: 全光通信 , 光放大器 , 材料

稀土Nd掺杂Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的微结构与光致发光性能研究

汪竞阳 , 章天金 , 江娟 , 潘瑞琨 , 詹芬

功能材料

用溶胶-凝胶法制备了不同浓度(0、1%、3%、5%(摩尔分数))的Nd掺杂钛酸锶钡(Ba0.65Sr0.35TiO3,BST)薄膜.XRD结果表明,经700℃退火1h后,样品晶化为完整的多晶钙钛矿结构,平均晶粒尺寸为20nm.原子力显微镜(AFM)观察发现,薄膜表面均匀致密,光滑平整.室温光致发光谱(PL)显示在808nm氩离子激光激发下,Nd掺杂的BST薄膜在876、1060、1337nm处有较强的近红外(NIR)发光,分别对应于Nd3+的4F3/2-4I9/2、4F3/2-4I11/2、4F3/2-4I13/2跃迁.这些结果表明Nd掺杂BST薄膜在激光器和光放大器等光电器件领域有着广泛的应用前景.

关键词: BST薄膜 , Nd掺杂 , 微结构 , 光致发光

脉冲激光沉积法制备Ge-Se-Bi硫系玻璃薄膜的结构

潘瑞琨 , 臧浩春 , 林常规 , 陶海征 , 赵修建 , 章天金

材料科学与工程学报

采用脉冲激光沉积法制备了(GeSe2)100-x-Bix(x=0~12)硫系玻璃薄膜.测量了薄膜的光学透射谱、吸收谱和拉曼光谱.薄膜的光学短波吸收边对应于电子的间接带间跃迁,并由此计算出其光学带隙.拉曼光谱分析表明Bi含量的增加,减小了玻璃的平均键能,导致光学带隙由1.94 eV减小到1.11 ev.Tauc斜率由486 cm-1/2eV-1/2减小到178 cm-1/2eV-1/2.退火过程中的热漂白效应减小了玻璃的结构无序性,使得薄膜的光学带隙和Tauc斜率相应增大.

关键词: 硫系玻璃薄膜 , 光学带隙 , 拉曼光谱

掺Ho3+钛酸锶钡薄膜的结构及发光性能研究

潘瑞琨 , 王军 , 董秀梅 , 章天金 , 胡兰 , 江娟

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.008

采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol%Ho3+掺杂的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,研究了薄膜的表面AFM、XRD谱,光学透射谱和光致发光谱.结果表明:Ho3+浓度从1mol%增加到8mol%时,BST薄膜的晶格常数先增大后减小;位于615、650和750nm处的发光,分别对应5F3→5F7、5F5一fF8和5S2、5F4一5F7的跃迁,发光谱和5S2,5F4的寿命谱分析表明,在Ho3+浓度为3mol%时三个发光带强度均最大.并分析了Ho3+与Ba2+/Sr2+/Ti4+的离子位置替代机制及交叉弛豫机制.

关键词: BST薄膜 , 稀上掺杂 , 光致发光

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