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温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

张学贵 , 王茺 , 杨杰 , 潘红星 , 鲁植全 , 李亮 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.

关键词: 离子束溅射 , 量子点 , 表面形貌 , Raman光谱

SiCl4氢化技术的应用现状及研究进展

潘红星 , 曾亚龙 , 朱明 , 李光明

材料导报

采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅是目前四氯化硅得到合理利用的有效手段.以此为主线,在已有研究工作和生产经验的基础上,从原理上分析了四氯化硅氢化反应,总结了影响氢化转化率的主要因素,提出了合理化建议,为多晶硅的生产提供了有价值的参考.

关键词: 四氯化硅 , 氢化 , 三氯氢硅 , 多晶硅

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