焦扬
,
葛培琪
,
高玉飞
,
毕文波
人工晶体学报
本文采用有限元法建立了KDP晶体线锯切割的仿真模型,仿真分析了切割过程中晶体内部应力场分布的变化规律.结果表明,线锯切割加工过程应力变化整体平稳,属低应力锯切方式,当晶体即将切断时,最大拉应力显著增加；随着被加工材料的去除,晶体初始内应力释放,晶体内部距离待加工表面越近的点,切割过程中应力变化越剧烈；锯切切口处,锯切应力与内应力相互耦合,应力集聚,并且晶体初始内应力越大,应力集聚越明显,晶体切割开裂几率越大.仿真结果为保证KDP晶体线锯切割加工过程中避免开裂提供了理论基础.
关键词:
KDP晶体
,
线锯切割
,
有限元分析
,
应力场
焦扬
,
严虞虞
,
何成
,
段春迎
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.01.098
金属有机笼状配合物因其独特的空间限域性、易组装、多功能化等特点,使其在选择性识别生物小分子时占有重要的优势.本文设计合成了具有高度对称性的有机配体H3 L2,通过配位作用与过渡金属离子ZnⅡ/CoⅡ组装成金属有机笼状配合物Zn-L2/Co-L2.笼状配合物Zn-L2和Co-L2均为四面体构型,具有光学活性,为阳离子笼状配合物.以荧光为主要研究手段,对生物小分子核苷酸分子的识别作用进行研究,发现当与三磷酸腺苷ATP分子进行作用时,笼状配合物的荧光信号显著增强,实现了对ATP的选择性识别.
关键词:
核苷酸
,
识别
,
荧光
,
笼状配合物
焦扬
,
葛培琪
,
高玉飞
,
毕文波
人工晶体学报
KDP晶体生长缺陷是导致其锯切开裂的重要原因.本文采用有限元法建立了含缺陷的KDP晶体线锯切割数值计算模型,仿真分析了锯切过程中缺陷附近的应力分布状态,研究了缺陷尺寸及分布位置对应力分布的影响.结果表明,晶体缺陷引起局部应力集中,锯切过程中应力集中系数保持稳定,但当锯口通过缺陷时,应力集中系数激增.锯口处也存在应力集中,当锯口靠近缺陷时,两种应力集中的耦合效应增强,缺陷处最大拉应力增大;锯切至缺陷处时,耦合效应最强,最大拉应力增大到最大值.缺陷距离切除层越近,锯切过程中缺陷处最大拉应力的变化越剧烈;锯切末段切除层中的缺陷处具有更大的最大拉应力.
关键词:
KDP晶体
,
线锯切割
,
晶体缺陷
,
应力集中
,
数值模拟
焦扬
,
杨鹏波
,
丛威
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2011.06.013
采用恒流三室双极膜电渗析方式,利用同一种阴离子交换膜和两种不同型号的双极膜对Na2 SO4溶液再生H2 SO4和NaOH过程中酸室H+离子渗漏进行了研究,分析了双极膜及电渗透水通量与双极膜电渗析(BMED)再生酸碱中酸室H+离子渗漏的相互作用.实验结果表明:在相同电流密度条件下,双极膜的膜电阻越小,酸室电渗透水的通量越大,进而酸室质子渗漏的百分数越小.酸室H+渗漏携带的水量仅为酸室渗漏“逃水”水量的一部分.
关键词:
双极膜
,
双极膜电渗析
,
电流密度
,
质子泄漏
