熊志华
,
孙振辉
,
彭建飞
,
李冬梅
,
万齐欣
,
刘国栋
,
汪胜前
,
施思齐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.011
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了闪锌矿GaN掺Cr的电子结构和磁性.考虑不同掺杂浓度和位置,计算结果表明,Ga1-xCrxN呈现铁磁基态,Cr原子间是铁磁性耦合并团簇于N原子,Cr原子与最近邻N原子为反铁磁性耦合.我们采用双交换机制解释了磁性来源和机制.计算结果和最近闪锌矿GaN掺Cr的实验结果吻合.
关键词:
铁磁性
,
闪锌矿Ga1-xCrxN
,
密度泛函理论
万齐欣
,
熊志华
,
李冬梅
,
刘国栋
,
甘丽新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.
关键词:
Ag掺杂ZnO
,
本征缺陷
,
第一性原理
,
电子结构
罗岚
,
熊志华
,
周耐根
,
周浪
稀有金属材料与工程
将组合材料芯片技术用于Gd1-xAly:Eux荧光材料的研究.通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制各Gd1-xAly:Eux梯度组合材料芯片.通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-A12O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成.紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAly:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5Do-7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相.材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致.
关键词:
组合材料芯片技术
,
钆铝酸盐
,
发光
,
离子束溅射
