饶早英
,
王蜀霞
,
梁孝云
,
杨云青
,
胡慧君
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牛君杰
材料导报
碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.
关键词:
场发射
,
热电子发射
,
势垒
,
位相变化
杨云青
,
王蜀霞
,
胡慧君
,
牛君杰
,
饶早英
,
耿晓菊
材料导报
碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提.介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析.
关键词:
碳纳米管阵列
,
场致发射
,
制备
