刘超
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牟海维
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高新成
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夏法锋
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高智勇
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蔡伟
功能材料
采用磁控溅射方法制备了Ni_(56)Mn_(27)Ga_(17)高温形状记忆合金薄膜,研究了薄膜的马氏体相变行为和组织结构.试验结果表明,Ni_(56)Mn_(27)Ga_(17)薄膜马氏体相变开始温度高达584K,该薄膜室温下为非调制四方结构马氏体.透射电镜观察进一步表明,其马氏体亚结构为(111)I型孪晶.
关键词:
Ni-Mn-Ga
,
形状记忆合金
,
薄膜
,
磁控溅射
杨明珠
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牟海维
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吕树臣
硅酸盐通报
本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器.分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响.随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol％时达到极大值.通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08 μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器.
关键词:
ZnO变阻器
,
Sn掺杂
,
电性能
