宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
薛成山
,
董志华
,
庄惠照
,
王书运
,
高海永
,
田德恒
,
吴玉新
稀有金属材料与工程
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案(使用中间层和不使用中间层)实验样品进行了测试和比较.实验结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量.
关键词:
射频磁控溅射
,
自组装
,
中间层
,
SiC
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
王书运
,
何建廷
,
董志华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
关键词:
GaN纳米管
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
氮化
孙振翠
,
曹文田
,
王书运
,
薛成山
,
伊长虹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.001
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.
关键词:
Ga2O3薄膜
,
GaN薄膜
,
射频磁控溅射
,
扩镓时间
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
庄惠照
,
王书运
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15 nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15 min.
关键词:
GaN
,
Ga2O3/Al2O3膜
,
氨化
,
磁控溅射
王书运
物理测试
针对目前使用WGD-8A系列组合式多功能光栅光谱仪测量氢氘光谱波长的试验中对谱仪的标定问题,本文讨论了两种标定方法对试验结果的影响,一种方法是对多条标准谱进行一次大范围测量取平均修正值来对谱仪进行标定,另一种是针对每条待测谱线用相临的标准谱分别进行标定和测量.结果表明,针对每条待测谱线对谱仪进行分次标定和测量的方法,才能满足用线性内插法计算光谱值的条件,试验结果比一次大范围标定测量误差小的多.
关键词:
氢氘光谱
,
线性内插法
,
标定
,
光栅光谱仪
