王何美
,
朱华
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冯晓炜
,
况慧芸
,
王艳香
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征.结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向.所有薄膜样品在420 ～ 900 nm区间内的平均透光率大于91％.随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大.衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移.
关键词:
ZnO∶B薄膜
,
磁控溅射
,
光电特性
王何美
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朱华
,
张金艳
,
王艳香
,
杨志胜
,
郭平春
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.020
用射频磁控溅射技术改变工作压强(0.1～9 Pa)在玻璃衬底上制备B掺杂ZnO薄膜,用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪分别对薄膜进行微结构及其光电性能表征.结果发现,所有薄膜样品在420～900 nm区间内的平均透光率＞91％;ZnO:B晶粒尺寸随工作压强增大有先增大后减小,而电阻率先减小后增大的趋势.工作压强为0.5 Pa时电阻率达到最低1.53×10-3Ω·cm,所有薄膜样品禁带宽度相对于本征ZnO出现蓝移现象.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:B薄膜
,
溅射气压
