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低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 , 段满龙 , 卢伟 , 刘刚 , 高永亮 , 董志远 , 王俊 , 杨凤云 , 王凤华 , 刘京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超 , 赵有文

人工晶体学报

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.

关键词: 锑化镓(GaSb) , 液封直拉法(LEC) , 单晶 , 衬底

Φ6.5mm硬线钢盘条质量的提高

王凤华 , 杜秀珍

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2008.04.007

针对唐钢二钢轧厂高线车间Φ6.5mm硬线钢盘条生产过程中存在的质量问题,采取多项有效的技术改进措施,全面提高硬线钢盘条的综合质量,提高产品市场竞争力.

关键词: 硬线钢 , 盘条质量 , 提高

氧化铈掺杂SrCoO3-δ的结构与电导性能

魏楸桐 , 郭瑞松 , 王凤华 , 陈玉如 , 刘文西

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.02.011

采用固相反应法合成了Sr1-xCexCoO3-δ(x=0.05~0.2)阴极材料,并研究了其结构和电导性能.XRD图谱表明SrCoO3-δ体系中CeO2固溶量为10%~15%(质量分数),且随着氧化铈含量的增加体系稳定性略有降低,晶胞出现收缩.当氧化铈的掺杂量为15%时的电导率高于其它固溶量的组分,在350~400℃达到最高值,超过了500S/cm,满足了作为低温SOFC阴极材料的电学性能的要求.

关键词: SrCoO3-δ阴极材料 , CeO2掺杂 , 固相反应 , 相结构 , 电导率

钢丝热浸镀Galfan合金镀层开裂的研究

杜安 , 曹晓明 , 马瑞娜 , 范永哲 , 石坚 , 王凤华

材料导报

对钢丝热浸镀Galfan合金镀层的开裂进行了研究.采用SEM、EDS、XRD、TEM、XPS分别分析了镀层的组织形貌、相组成及元素的结合方式,并观察了镀层开裂及断口的组织形貌.结果表明,Glafan合金镀层中无明显合金过渡层,镀层中裂纹在晶界产生并沿晶界扩展.镀层晶界处的氧化物等杂质是造成镀层开裂的主要原因.

关键词: 热浸镀 , 开裂 , 微观组织 , Galfan合金

浸镀温度对热镀Galfan钢丝镀层的影响

杜安 , 马瑞娜 , 范永哲 , 曹晓明 , 石坚 , 王凤华

材料热处理学报

在不同浸镀温度下制备了钢丝热浸镀Galfan镀层,运用扫描电镜、x射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、电化学工作站研究了浸镀温度对钢丝还原法热镀Galfan(Zn-5%Al-RE合金)镀层厚度和组织的影响.结果表明,镀层界面层厚度随还原温度呈波浪形变化,在445℃处存在峰值;界面层主要由Fe_2Al_2FeAl_3组成,415-4359C镀层界面层中存在微量Al_20_3;极化曲线分析表明,界面层存在扫描电镜下无法观察到的分层.

关键词: 浸镀温度 , 界面层厚度 , 组织形貌

XRD-DSC与ERM技术在LSM固相合成机理研究中的应用

郭瑞松 , 李海龙 , 魏楸桐 , 王凤华

稀有金属材料与工程

采用XRD-DSC(差示扫描量热分析)与ERM(升温电阻测量分析)协同分析的方法,详尽分析了以La2O3,MnCO3,SrCO3为原料,合成锰酸锶镧(LSM)粉体的固相反应机理.认为该体系的La2O3在混料过程中已被水化,在反应过程中以La2O3CO3的方式存在至800℃.在400℃MnCO3分解之后首先是SrCO3受Mn-O化合物影响分解在界面处化合生成SrMn3O6-x这种仅在400℃~550℃存在的中间产物;550℃时SrMn3O6-x开始分解为SrMnO2.694和Mn-O化合物,Mn-O化合物与La2O2CO3反应,生成La-Mn-O化合物,并固溶少量Sr;700℃时SrCO3开始强烈分解为SrO,并与Mn-O化合物和La-Sr-Mn-O化合物反应生成La-Sr-Mn-O化合物;SrMnO2.694与La2O3在900℃反应,不利于反应进行;950℃以上煅烧将有助于获得组分单一均匀的LSM粉体.

关键词: XRD-DSC , ERM , LSM , 固相合成机理

SOFC阳极用NiO-YSZ粉末的制备技术

王凤华 , 郭瑞松 , 魏楸桐

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.03.021

简要地介绍了Ni-YSZ阳极材料,详细地介绍了NiO-YSZ粉末的制备技术,包括机械混合法、共沉淀法、缓冲溶液法、凝胶沉淀法、包裹沉淀法、燃烧合成法.提出了Ni-YSZ阳极材料研究中尚待解决的问题.

关键词: NiO-YSZ粉末 , Ni-YSZ阳极材料 , 制备技术

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