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MnCu合金马氏体相变和马氏体的内耗

王力田 , 葛庭燧

金属学报

本文对含Mn60-90wt-%的MnCu合金在123—423K温度范围内进行了低频和声频内耗测量,研究马氏体相变和马氏体中各种界面对内耗的贡献.结果指出,马氏体相变内耗可分解为两部分,即相变中的稳定内耗峰(阶梯变温测量时,T=0)和低温背景内耗.相变内耗主要是由马氏体和母相界面的运动产生的;低温背景内耗是由马氏体片间界面的运动产生的,且表现出强烈的振幅效应,其强弱决定于马氏体片间界面的数量.马氏体片间界面的运动产生的非线弹应变导致了附加的模量亏损和非线性共振行为.高Mn合金(Mn>80wt-%)中的弛豫型内耗峰研究指出,该峰的弛豫时间分布参数服从β=

关键词: 内耗 , null , null

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