曲宝壮
,
朱勤生
,
陈振
,
陆大成
,
韩培德
,
刘祥林
,
王晓晖
,
孙学浩
,
李昱峰
,
陆沅
,
黎大兵
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003
利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.
关键词:
量子点
,
MOCVD
,
共振隧穿
,
InGaN/GaN
姚振钰
,
贺洪波
,
柴春林
,
刘志凯
,
杨少延
,
张建辉
,
廖梅勇
,
范正修
,
秦复光
,
王占国
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
Si衬底
钱家骏
,
叶小玲
,
徐波
,
韩勤
,
陈涌海
,
丁鼎
,
梁基本
,
刘峰奇
,
张金福
,
张秀兰
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
关键词:
InAs/GaAs应变自组装量子点材料
,
量子点激光器
,
电致发光谱(EL)
,
MBE外延生长
刘石勇
,
曾湘波
,
彭文博
,
姚文杰
,
谢小兵
,
杨萍
,
王超
,
王占国
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.08.003
采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.
关键词:
纳米硅
,
氢稀释比
,
光学带隙
张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
邢小东
,
林耀望
,
姚江宏
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.003
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.
关键词:
兼容性
,
调制掺杂GaAs
,
InP/InP外延材料
,
高电子迁移率
,
分子束外延
,
固体磷源
吴洁君
,
韩修训
,
李杰民
,
黎大兵
,
魏宏远
,
康亭亭
,
王晓晖
,
刘祥林
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
关键词:
缓冲层厚度
,
GaN
,
蓝宝石衬底
,
MOCVD
王振华
,
杨安丽
,
刘祥林
,
魏鸿源
,
焦春美
,
朱勤生
,
杨少延
,
王占国
人工晶体学报
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰.这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致.室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低.
关键词:
ZnO
,
甲醇
,
MOCVD
,
生长温度
张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
姚江宏
,
林耀望
,
舒强
,
刘如彬
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.004
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线.利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料.该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
理论计算
,
优化生长
,
高反射率
