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衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响

兰伟 , 董国波 , 张铭 , 王波 , 严辉 , 王印月

稀有金属材料与工程

使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.

关键词: Cu-Al-O薄膜 , 衬底温度 , 透过率 , 电导率

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

方泽波 , 朋兴平 , 谭永胜 , 何志巍 , 王印月

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.014

用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400～800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.

关键词: ZnO , RF溅射 , 透明导电薄膜

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

龚恒翔 , 阎志军 , 杨映虎 , 王印月

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.033

采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜.用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响.发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(PO2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱,半高宽无明显变化.

关键词: ZnO薄膜 , RF反应溅射 , 择优取向

分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜

何志巍 , 甄聪棉 , 缑洁 , 兰伟 , 郭得峰 , 王印月

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.003

报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.

关键词: SiO2 , 低介电常数 , 分子模板

Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究

马书懿 , 王印月 , 刘雪芹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.014

Si/SiO2薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO2 )/p-Si 结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于660nm处,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动.实验结果表明光发射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光.

关键词: Si/SiO2薄膜 , 电致发光 , 发光中心

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