王欣
,
王发展
,
雷哲锋
,
马姗
,
王哲
,
吴振
,
何银花
人工晶体学报
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同横截面氧化锌纳米线(ZnONW)的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:ZnONW的直径越大,原子弛豫后Zn-O键键长变化越小,体系越稳定;随外加电场增强,长径比较大的纳米线体系态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)均向低能方向移动,最高占据分子轨道(HOMO)-最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减少,体系电荷移向NW顶端.DOS/PDOS,HOMO/LUMO,能隙及有效功函数分析结果表明,具有较小横截面积的NW-1场发射性能最佳.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米线
,
场发射
,
电子结构
雷哲锋
,
王发展
,
张立岗
,
王欣
,
陈霞
,
王博
,
尚志新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的计算方法,系列的研究了锯齿型(9,0) ZnO单壁纳米管、Li,N分别掺杂以及Li-2N共掺杂的ZnO纳米管的能带结构、总体态密度、分波态密度.分析发现虽然Li原子单独掺杂不会对纳米管能带结构产生明显影响,但是Li-2N共掺杂比N单独掺杂ZnO纳米管的结构更加稳定,而且Li-2N共掺杂ZnO纳米管是p型简并半导体.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
,
Li-N共掺
雷哲锋
,
王发展
,
赵超
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n--4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
赵超
,
王发展
,
雷哲锋
,
张顾钟
,
刘勃
材料导报
回顾了国内外Zn<,1-x>Cd<,x>O合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中CA原子分数x与E<,g>(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量时E<,g>的影响进行了深入的分析讨论.建立了Cd含量x与E<,g>的经验关系式(x-E<,g>关系式).与试验值相比,使用新x-E<,g>关系式预测得到的E<,g>值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn<,1-x>Cd<,x>O合金中Cd含量x与E<,g>之间的关系.
关键词:
Zn1-xCdxO合金
,
带隙
,
回归拟合
,
掺杂
,
定量关系
赵超
,
王发展
,
雷哲锋
,
张顾钟
,
刘勃
材料导报
回顾了国内外Zn1-xCdxO合金带隙研究的发展历程,总结和归纳了近10年来关于Zn1-xCdxO合金中Cd原子分数x与Eg(eV)关系的数据及理论等研究成果.在此基础上,以近10年来文献中的试验数据作为分析样本,考虑多种情况对其进行回归拟合,并对不同拟合方法及Cd含量对Eg的影响进行了深入的分析讨论,建立了Cd含量x与Eg的经验关系式(x-Eg关系式).与试验值相比,使用新xEg关系式预测得到的Eg值与其符合得较好,表明所建立的关系式能比较准确地反映Zn1-x CdxO合金中Cd含量x与Eg之间的关系.
关键词:
Zn1-xCdxO合金
,
带隙
,
回归拟合
,
掺杂
,
定量关系
王欣
,
王发展
,
王哲
,
何银花
,
马姗
,
吴振
人工晶体学报
运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米管
,
场致发射
,
共掺杂
何银花
,
王发展
人工晶体学报
以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC(氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构,电子结构分析表明Zn-Zn(4P)的场发射性能最优.在此基础上,进一步研究了In/Mg掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明:掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大;根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可知In-In(4P)具有更优异的场发射性能.
关键词:
第一性原理
,
氧化锌纳米锥
,
电子输运
,
场发射
王发展
,
诸葛飞
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张晖
,
丁秉钧
稀有金属材料与工程
采用热旋锻工艺制备了纳米复合W-4.5%ThO2阴极材料,为了对其抗烧蚀性能进行研究,在氩弧焊机(GTA)上与商用W-2%ThO2和W-4.5%ThO2电极进行了比较试验.结果表明,这种新型电极的密度接近于全致密,其组织结构与目前工艺生产的商用电极完全不同,粒径小于200 nm的ThO2颗粒弥散分布于钨基体晶粒内.纳米复合W-4.5%ThO2阴极材料的起弧性能是3种测试电极中最好的,抗烧蚀性能得到明显改善,说明电极的性能主要受ThO2含量和粒度的支配.
关键词:
热钨阴极
,
高掺杂
,
纳米复合
,
烧蚀性能
,
旋锻法
