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非等温耦合模型下大功率LED特性的研究

王天虎 , 王晓东 , 徐讲良

工程热物理学报

本文建立了发光二极管（LED）芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱（MQWs）区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱（QW）内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。

关键词: 发光二极管 , 多量子阱 , 内量子效率