袁瑞玚
,
王如志
,
段志强
,
王波
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.014
本文采用转移矩阵法,系统地研究了磁势垒尺度d对磁量子结构中电子自旋输运的影响.结果表明:在理想δ函数型磁势垒结构中,若保持隧穿能量不变,随d的变化,透射系数呈现出明显的正弦或余弦型的周期性振荡,且振荡周期与是否考虑自旋无关.而对于真实δ函数型磁势垒结构,随d的变化,透射系数的周期性振荡的规律明显消失.另外,当电子自旋分别隧穿理想δ函数型磁势垒结构与真实δ函数型磁势垒结构时,隧穿电导随d的变化也存在较大差异.研究结果表明:尺寸的变化对器件的性能产生了较大的影响;且采用理想δ函数型磁势垒结构得出的结论可能了偏离实际应用中的真实δ函数型磁势垒结构的物理规律.
关键词:
尺度效应
,
自旋输运
,
隧穿电导
,
磁量子结构
李军
,
王如志
,
王波
,
严辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.016
利用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的氧化锌(ZnO)薄膜.研究了其场发射特性,分析了场发射特性和衬底温度的变化关系.实验结果表明, 开启电场随着衬底温度的增加呈先增大后减小的趋势,场发射特性的变化是由于衬底温度的改变引起表面形貌的变化所致.衬底温度为300 ℃时沉积的ZnO薄膜样品粗糙度最小,场发射性能最差,其开启场强为1.7 V/μm,场强为3.8 V/μm时电流密度仅为0.001 97 A/cm2;衬底温度为400 ℃时沉积的ZnO薄膜样品表面粗糙度最大,场发射特性也优于其他薄膜;开启场强为0.82 V/μm, 场强为3.8 V/μm时电流密度稳定在0.03 A/cm2.Fowler-Nordheim(F-N)曲线为直线表明, 电子是在外加电场的作用下隧穿表面势垒束缚发射到真空的.
关键词:
ZnO薄膜
,
场发射
,
衬底温度
,
表面粗糙度
李松玲
,
王如志
,
赵维
,
王波
,
严辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.005
采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0 Pa)下沉积了一系列氮化铝(AIN)薄膜.研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小.场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5 Pa和0.7 Pa)下制备的A1N薄膜具有一定的场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0 Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降.电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射.研究表明,为获得具有良好场发射性能的A1N薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能.
关键词:
氮化铝薄膜
,
场发射
,
工作气压
,
缺陷
王如志
,
王波
,
严辉
中国材料进展
场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣.综述了场发射薄膜材料的理论与实验研究进展,并评述了场致电子发射薄膜材料研究的瓶颈问题及未来发展方向与趋势.
关键词:
场发射
,
薄膜材料
,
纳米薄膜
