王庆仓
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张晓东
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苏建修
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祝伟彪
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郗秦阳
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朱鑫
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裴圣华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.025
目的：提高SiC单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序；对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为：助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
关键词:
化学机械研磨
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研磨液
,
碳化硅单晶片
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材料去除率
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表面质量
