王延来
,
聂洪波
,
果世驹
,
王义民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.014
采用超声电沉积-热处理两步法和超声共沉积一步法在钼基底上制备了致密的Cu-In合金薄膜.分别用SEM,EDS和XRD分析了Cu/In双层膜以及Cu-In合金膜的表面形貌、成分及相组成.结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/In比率;超声电沉积可以得到晶粒细小、均匀致密的Cu,In以及Cu-In合金薄膜;两步法中超声电沉积得到的双层膜为CuIn和Cu或In相,经过热处理后转变为Cu11In9和Cu或In相;一步法超声共沉积得到的合金膜主要为CuIn相,根据Cu/In比率的不同,还会含有少量的Cu11In9或In相.
关键词:
超声电沉积
,
Cu-In合金膜
,
表面形貌
,
Cu/In比率
聂洪波
,
王延来
,
果世驹
,
杨永刚
,
王璐鹏
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.005
使用感应熔炼法制备cu山合金,并尝试使用单辊甩带法制备连续均匀的cu-In合金薄带,利用XRD,SEM和EDs对制得的Cu-In合金进行表征.结果表明:cu-In合金凝固过程存在偏析现象,合金内部呈现出不连续的富cu区域和连续的富In区域,并且在富In区域中心部位存在着许多细小裂纹,单质In仅存在于裂纹周围.感应熔炼的cu-In合金具有Cu11In9和In混合物相结构,它为研究CulnSe2薄膜太阳电池提供了一种新材料;但使用单辊甩带法无法制备In含量为55%(摩尔分数)的连续均匀cu-In合金薄带.
关键词:
Cu-In合金
,
感应熔炼法
,
单辊甩带法
,
非平衡固化
王利刚
,
王延来
,
姚伟
,
朱俊
,
徐金刚
稀有金属
磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2.采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性.结果表明:硫化时间为10 min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42～1.55 eV之间.
关键词:
CuInS2薄膜
,
硫化时间
,
光电特性
谢俊叶
,
李健
,
王延来
功能材料
真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜.研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1:0.1:1.2.用x(Cu).x(In):x(S)=1:0.1:1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1:0.9:1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV.
关键词:
真空共蒸发
,
CuInS2薄膜
,
热处理
,
光学特性
