徐文彬
,
王德苗
材料导报
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiQ_xN_y栅介质薄膜的反应溅射制备.反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异.对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体缺陷密度减小,而氮含量的减少则有助于提高薄膜界面质量.最终结果显示,采用合适的反应气体组合(QN_2=1.0sccm,Qo_2=1.0sccm)制得的SiOxNy薄膜具有较低的体缺陷密度和较好的界面质量,适合于MOS栅介质领域的应用.
关键词:
氯氧化硅
,
氯氧比
,
C-V特性
,
栅介质
王会
,
徐晓
,
冯斌
,
王德苗
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201511015
采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜,并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究.结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5．0 MPa；其中,内壁沉积有2μm银/2μm 铜双层膜的耦合器的电性能最佳,耦合度为5．75~6．20 dB,隔离度为31．02 dB,端口驻波值为24．43 dB,均达到了电镀的指标,插入损耗小于1．70 dB,优于电镀的；该工艺用银量少,无污染,可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层.
关键词:
磁控溅射
,
耦合腔
,
双层膜
,
电性能
,
结合强度
金炯
,
王德苗
,
董树荣
材料导报
低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.
关键词:
低辐射薄膜
,
研究进展
,
综述
余厉阳
,
王德苗
,
董树荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.026
压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压,同传统的电磁变压器相比较,具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点.本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法,以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器,分析了现阶段压电变压器存在的问题,并展望了压电变压器的发展方向.
关键词:
电畴特性
,
压电变压器
,
压电陶瓷材料
,
等效电路图
魏淑萍
,
王德苗
,
金浩
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.001
微波介质陶瓷谐振器在无线通信基站中有广泛的应用,其品质因数(Q值)主要由材料的介质损耗和金属膜的电导损耗所决定的,传统丝印烧结的金属化膜损耗较大,已成为限制谐振器Q值的主要因素.本文采用直流磁控溅射对相对介电常数为45的微波介质陶瓷进行金属化处理,研究了不同的清洗工艺和复合膜系对介质谐振器性能的影响.实验结果表明,①表面精细打磨和等离子清洗工艺有利于提高膜层结合力,其中Cr/Cu/Ag复合膜系性能最佳,溅射金属化膜层结合力可达6.4MPa,优于丝印工艺的1.8MPa;②50～100nm厚度的过渡层金属Cr对Q值几乎无影响,因此可用Cr层提高结合力,且不会牺牲器件Q值;③溅射后器件的Q值最大可达到2673,明显优于丝印烧结工艺的2268.
关键词:
直流磁控溅射
,
介质谐振器
,
复合膜系
,
等离子清洗
,
Q值
