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PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

赵杰 , 胡礼中 , 王兆阳 , 李银丽 , 王志俊 , 张贺秋 , 赵宇

功能材料

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.

关键词: ZnO薄膜 , 反射式高能电子衍射 , X射线衍射 , 光致发光

NdF3六边形纳米片的可控合成及发光性能研究

陶锋 , 刘莉 , 陆子飚 , 王志俊 , 孙宇峰 , 刘琪

人工晶体学报

采用水热法,通过调节起始反应溶液中nNd3+/nF-的比值、pH值和螯合剂成功合成了NdF3六边形纳米片.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对合成样品的物相结构及晶粒形态进行了表征,并提出了其可能的生长机制.室温下NdF3六边形纳米片的发射光谱在红外光区904 nm,1066 nm和1330 nm处存在较强的发光峰,最强发射峰位于1066 nm;上转换光谱在522 nm和580 nm处存在较强的发光峰,最强发射峰位于黄光区的580 nm.

关键词: 水热法 , NdF3 , 六边形纳米片 , 发光性能

六方相NaYF4∶Ln3+ (Ln=Sm,Pr)微米棱柱的水热合成和发光性质

王志俊 , 潘峰 , 陶锋 , 孙宇峰 , 蔡维理 , 姚连增

材料导报

采用低温水热法合成了高质量的六方相NaYF4∶Ln3+ (Ln=Sm,Pr)微米棱柱,其直径约为1μm,长约为2~5μm,端口呈规则六边形.利用X射线衍射、场发射扫描电镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜对样品的物相、形貌和结构进行了分析与表征.室温下,采用稳态荧光光谱仪研究了六方相NaYF4 ∶ Ln3+的光致发光性质,讨论了不同掺杂浓度对发光强度的影响.在400nm波长激发下,在500~720nm范围内观察到NaYF4 ∶Sm3+较强的橙色和红色发光,最强峰位于594nm;在444nm波长激发下获得了NaYF4∶Pr3+的蓝色和红色发光.

关键词: 稀土 , 氟化物 , 微结构 , 水热合成 , 发光

快速升温法制备CdS纳米带的生长机理研究

王志俊 , 陶锋 , 刘伟丰 , 姚连增 , 蔡维理

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01357

在无任何催化剂的条件下, 采用快速升温法在单晶硅衬底上制备了高质量的、形貌均匀的CdS纳米带. X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)分析显示, 纳米带属六方单晶结构, 生长方向为[001]. 讨论了纳米带形成的机理, 认为CdS纳米带状六方结构的形成, 主要是由于生长速度的各向异性及在沉积区具有较低的过饱和度和较高的沉积温度等因素导致.

关键词: CdS , nanobelts , growth mechanism

快速升温法制备CdS纳米带的生长机理研究

王志俊 , 陶锋 , 刘伟丰 , 姚连增 , 蔡维理

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.012

在无任何催化剂的条件下,采用快速升温法在单晶硅衬底上制备了高质量的、形貌均匀的CdS纳米带.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)分析显示,纳米带属六方单晶结构,生长方向为[001].讨论了纳米带形成的机理,认为CdS纳米带状六方结构的形成,主要是由于生长速度的各向异性及在沉积区具有较低的过饱和度和较高的沉积温度等因素导致.

关键词: CdS , 纳米带 , 生长机理

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