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Na0.6CoO2热电陶瓷的电子结构

马秋花 , 李彦涛 , 王改民 , 侯永改

硅酸盐通报

本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对热电陶瓷Na<,0.6>CoO<,2>进行了研究.结果表明Na<,0.6> CoO<,2>为间接带隙的P型半导体,带隙宽度为1.233 eV.从态密度及电荷差分密度可知Co<,3>d电子和O2p电子对价带顶及导带底的贞献较大,CO3d与O2p轨道的杂化利于载流子的迁移,此外,CO3d电子晶场的分裂,使体系呈现自旋极化,计算得到的净磁矩为4μ<,B>,而自旋磁矩的存在是获得高Seebeck系数的原因.

关键词: 电子结构 , Na0.6CoO2热电陶瓷 , 热电性能

Nb2O5掺杂对PZN-PZT压电陶瓷微观结构和电性能的影响

路朋献 , 马秋花 , 邹文俊 , 侯永改 , 王改民 , 王春华

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.02.024

研究了施主掺杂离子Nb5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处.

关键词: Nb2O5掺杂 , PZN-PZT , 微观结构 , 电学性能

2024合金极低温度下蠕变特性

关春龙 , 何伟春 , 赵志伟 , 王改民

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2014.3.015

研究了190℃时效12h后的2024合金在77~ 150K温度范围内蠕变行为.结果表明,2024合金低温下存在蠕变现象,并且所有温度下蠕变第Ⅰ阶段的蠕变应变量与蠕变时间均满足对数规律.100K和150K时蠕变曲线的第Ⅰ阶段持续500h以上,77K时试样经过1000h后仍未出现蠕变的稳态阶段.利用透射电镜观察了合金低温蠕变前后的位错组态,表明在定载条件下,随温度的升高蠕变后试样的位错密度上升,位错交互作用增强.在温度为150K时,看到位错的长程滑移,表明极低温度下2024合金的蠕变机制为位错机制.

关键词: 蠕变行为 , 过渡蠕变 , 位错 , 极低温

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